Новый безвыводной корпус для SMD-монтажа — SOT1061

Компания NXP Semiconductors анонсировала ряд компонентов, которые выпускаются в новом безвыводном корпусе для SMD-монтажа, — SOT1061.

В новом корпусе компания NXP Semiconductors представила транзисторы BISS (Breakthrough in Small Signal, дословно — «прорыв в малом сигнале»), в которых применена новая технология, позволяющая обеспечить значительное уменьшение напряжения V_CEsat насыщения коллектор-эмиттер транзистора и выпрямительные диоды Шоттки.

SOT1061 — это трехвыводной корпус размером всего 2×2×0,65 мм, обеспечивающий более долгий срок службы элемента, большую теплоотдачу и электрические характеристики (P_tot>1 Вт).

Благодаря компактному размеру и высоким техническим характеристикам, элементы в корпусе SOT1061 позволяют максимально эффективно использовать площадь печатных плат, обеспечивая максимальную интеграцию элементов, и идеально подходят для применения в портативных электронных устройствах.

Основные характеристики транзисторов BISS:

• Ток коллектора: до 6 А (пиковое значение I_CM = 7 А).
• Ультранизкое напряжение насыщения V_CEsat: около 200 мВ при токе коллектора I_C = 6 А.
• Ультранизкое сопротивление насыщения R_CEsat: 33 мОм.
• Полный спектр напряжений: от 12 до 100 В.

Основные характеристики выпрямительных диодов Шоттки:

• Высокая устойчивость к обратному току с низким падением напряжения (I_F = 2А при V_Fmax = 470 В).
• Интегрированная цепь защиты от ударных токов.

Компания NXP также планирует выпустить p-канальные MOSFET-транзисторы и FET-KYs в 6-выводном корпусе SOT1118 к концу 2010 года. Размер корпуса — всего 2×2×0,65 мм.