Новые мощные GaN-микросхемы от Aelius на 8,5–12 ГГц

Компания Aelius Semiconductors выпустила новые и СВЧ МИС (MMIC) для X-диапазона. Среди новинок оказались две СВЧ-микросхемы соответственно на 20 и 30 Вт, выполненных по технологии AlGaN/GaN. Оба компонента имеют корпус для поверхностного монтажа площадью 7×7 мм. Производство новинок нацелено на применение в составе ППМ АФАР. Ниже приведены основные параметры усилителей:

ASL4055C7:

• Частотный диапазон: 8,5–12 ГГц.
• Рассеиваемая мощность (Psat): 43 дБм.
• КУ (Small signal Gain): 28 дБ.
• КПД: 35%.
• Напряжение на стоке (Vd): 28 В.
• Корпус: LCC (Безвыводный керамический) 7×7×1,5 мм.

ASL4056P7:

• Частотный диапазон: 8,5–12 ГГц.
• Рассеиваемая мощность (Psat): 45 дБм.
• КУ (Small signal Gain): 28 дБ.
• КПД: 33%
• Напряжение на стоке (Vd): 28 В.
• Корпус: QFN 7×7×1,2 мм.