Новая платформа САПР Advanced Design System для разработки и моделирования ВЧ- и СВЧ-устройств

Компания Agilent Technologies представила новейшую версию своей флагманской платформы разработки и моделирования ВЧ- и СВЧ-устройств — Advanced Design System 2011.

ADS 2011 — это среда для проектирования дискретных и интегральных ВЧ- и СВЧ-устройств, поддерживающая различные технологии изготовления (например, GaAs, SiGe, GaN или кремниевые КМОП-технологии). В САПР ADS 2011 заложены функции электромагнитного моделирования (Momentum и FEM), что позволяет получить более точные результаты при разработке блоков и узлов радиоэлектронных устройств. При этом создан новый редактор топологии, что упрощает проектирование, и внедрены десятки усовершенствований, направленных на повышение функциональности платформы и удобство ее использования. Имея в своем распоряжении САПР ADS 2011, инженеры могут объединять в одном проекте модели, созданные по различных технологиям, таким образом, больше не нужно ограничиваться лишь одной технологией изготовления интегральной схемы или модуля при верификации проектов.

Ведущие производители компонентов, выполняемых по технологиям GaAs/GaN и ВЧ SiGe/БиКМОП/КМОП ИС, приветствовали появление новой версии САПР ADS. В течение последних шести месяцев были обновлены и проверены в ходе предварительного тестирования большинство существующих в ADS библиотек и Design Kit (библиотека компонентов, выполненных по определенному технологическому процессу). В ближайшие время обновленные Design Kit и библиотеки станут доступны для компаний, занимающихся разработкой интегральных схем и компонентов, что позволит им воспользоваться новыми функциями САПР ADS 2011.

Новые библиотеки полностью совместимы с ADS 2011.01, так же как с ADS 2009 Update 1 и предыдущими версиями ADS. В результате пользователю нужно только скачать и установить необходимую библиотеку, независимо от того, какую версию ADS он использует. Запросы на специальные комплекты должны быть направлены соответствующим поставщикам компонентов или производителям ИС.