Низковольтные диоды Шоттки высокой эффективности на основе карбида кремния
Компания ROHM объявила о разработке карбид-кремниевых диодов Шоттки нового поколения, которые обладают меньшим значением потерь при переключении и повышенным значением допустимого напряжения, чем у кремниевых ДШ. Кроме того, серия карбид-кремниевых диодов Шоттки SCS110A имеет преимущество перед другими карбид-кремниевыми ДШ, доступными на рынке, по прямому напряжению и динамическому сопротивлению. Это делает их идеальными для широкого спектра применений, включая схемы корректоров коэффициента мощности, конвертеров и инверторов мощности, которые используются в электроприводах и установках кондиционирования.
В области силовой электроники потери при преобразовании, возникающие в традиционных кремниевых полупроводниковых приборах, становятся все большей проблемой, что обуславливает поиск альтернативных материалов. Карбид кремния стал наиболее перспективным материалом благодаря его исключительным свойствам, в частности низкому значению потерь при переключении.
Компания ROHM проводила исследования в этой области в течение нескольких лет, начав с успешной разработки прототипа полевого транзистора на основе карбида кремния в 2004 году, а затем занялась силовыми модулями и диодами Шоттки. На основании отзывов заказчиков в 2005 году для диодов Шоттки на основе карбида кремния был выполнен ряд изменений и улучшений. В результате была разработана комплексная схема производства компонентов на основе карбида кремния, а также приобретена компания-производитель высококачественных пластин карбида кремния для обеспечения бесперебойных поставок материала.
Серия карбид-кремниевых диодов Шоттки SCS110A обладает значением времени восстановления (trr) 15 нс, что значительно меньше, чем у традиционных кремниевых быстро восстанавливающихся диодов (35–50 нс). В связи с этим потери при восстановлении сокращаются на 2/3, а также уменьшается нагрев прибора. Кроме того, прибор функционирует более стабильно при изменении температурных условий, чем кремниевый быстро восстанавливающийся диод, что упрощает задачу отвода тепла.
По сравнению с карбид-кремниевыми ДШ конкурентов данная серия имеет меньшее время восстановления (trr) и уменьшенный на 15% размер кристалла, наряду с температурными характеристиками, значениями динамического сопротивления и прямого напряжения (VF = 1,5 В при 10 A) повышается и эффективность прибора. Компанией ROHM также была решены такие проблемы, связанные с массовым производством приборов на основе карбида кремния, как однородность формирования барьера Шоттки и охранных колец высокого сопротивления без использования высокотемпературных процессов, что делает цикл собственного производства завершенным.
Основные свойства серии SCS110A:
- Ультранизкое значение обратного заряда восстановления (Qrr) обеспечивает высокоскоростное включение.
- Стабильные температурные характеристики.
- Время восстановления (trr) не зависит от изменения температуры.
Серия | VRM(V) | VR(V) | IO(A) | IFSM (A) | Tj (° C) | Tstg (° C) | VF(V)typ. | IF (A) | IR (μA) Max. | VR (V) | trr (nsec)typ. | Условия |
SCS110A | 600 | 600 | 10 | 40 | 150 | -55~ +150 |
1,5 | 10 | 2 | 600 | 15 | IF=10A VR=400V di/dt=-350A/μsec |