GaN на SiC HEMT СВЧ-транзистор 1011GN-1000V от Microsemi

Корпорация Microsemi анонсировала выпуск на рынок своего нового продукта — импульсного СВЧ-транзистора для вторичной радиолокации — GaN на SiC HEMT СВЧ-транзистора 1011GN-1000V. В данном устройстве впервые реализованы основные преимущества GaN-технологии — большая мощность и высокая надежность.

Хотя биполярные транзисторы и позволяют получить еще большую мощность, они имеют в два раза меньший коэффициент усиления и работают в режиме С.

На частотах ниже S-диапазона GaN СВЧ-транзисторы конкурируют с LDMOS. По основным характеристикам они сравнимы, однако для получения одинаковой мощности нужен один GaN СВЧ-транзистор либо большой сдвоенный LDMOS-транзистор. То есть цепи согласования GaN-транзистора займут гораздо меньше места в изделии.

Потенциально большой недостаток LDMOS в том, что драйвером их технологии является рынок базовых станций: он динамичный, технологии и технологические процессы постоянно меняются, вместе с ними меняется и технология радарных транзисторов. Высока вероятность того, что через год-другой понадобится болезненная модернизация в связи с тем, что радарный LDMOS-транзистор будет снят с производства или передан на второстепенную фабрику в Азии. Microsemi специализируется именно на СВЧ-транзисторах для высоконадежных применений и практически не снимает изделия с производства. До сих пор выпускаются и поставляются модули с биполярными транзисторами.

По соотношению $/Вт новый транзистор уже превосходит ближайшие LDMOS-аналоги за счет уменьшения массы и габаритов итогового изделия.

Причем уменьшение массы происходит как в результате уменьшения габаритов платы, так и в результате сокращения нагрузки на систему обеспечения тепловых режимов, поскольку рабочая температура перехода у транзистора 1011GN-1000V составляет 250 °С, что на 50 °С выше, чем позволяет технология LDMOS.

Это особенно важно при использовании в АФАР и в бортовых передатчиках, где стоимость системы охлаждения и ее масса становятся очень критичными параметрами.

Основные характеристики:

• рабочие частоты: 1030–1090 МГц;
• выходная мощность: 1000 Вт;
• рабочая температура перехода: 250 °С;
• коэффициент усиления: 20,5 дБ;
• импульс 32 мкс при 2%-ной загрузке;
• класс: АВ.

PT Electronics