Проектирование КИХ-фильтра на умножителе методом правого сдвига и сложения в базисе ПЛИС

Самые быстрые умножители состоят из двумерной матрицы одноразрядных сумматоров и называются матричными умножителями. Наиболее распространены матричные умножители по схемам Бо-Вулли и Пезариса, а также древовидного формата. В отличие от умножителей, использующие метод сдвига и сложения, матричный умножитель представляет собой законченную логическую схему без элементов памяти. Реализовывать такие...

Проектирование умножителя целых чисел со знаком методом правого сдвига и сложения в базисе ПЛИС

Показан пример проектирования последовательностного универсального умножителя целых чисел, представленных в дополнительном коде, методом правого сдвига и сложения (MAC-блок) в базисе ПЛИС. Использование этого метода для умножения чисел в базисе сигнальных процессоров чрезвычайно популярно у разработчиков РЭА. На базе этого метода реализуются схемы быстрого умножения (например, кодирование по Бу...

ПЛИС типа ППВМ: от 2D к 3D

Цель статьи — показать эволюционные изменения, которые происходят в трассировочных ресурсах при переходе от 2D к 3D ПЛИС, и какой выигрыш от этого может быть получен. Схемотехнические решения в трассировочных ресурсах и алгоритмы программирования электрических соединений являются важнейшими ноу-хау разработчиков индустриальных ПЛИС.

Разработка модели ПЛИС типа ППВМ с одноуровневой структурой межсоединений в системе визуально-имитационного моделирования MATLAB/Simulink

Успехи в области создания академических ПЛИС и программных инструментов оказали существенное влияние на развитие архитектур индустриальных ПЛИС. В академических ПЛИС для обеспечения программируемой коммутации существует две технологии соединений: multi-driver и single-driver. В настоящее время преимущество отдается технологии single-driver, так как ее использование позволяет получать существенный выигрыш по сравнению с технологией multi-driver как по быстродействию, так и по площади кристалла. На рис. 1 показаны основные функциональные блоки ПЛИС — логический блок (ЛБ), два ...

Учет резистивно-емкостных эффектов при проектировании цифровых БИС по субмикронным проектным нормам

С наступлением эры субмикронных технологий БИС стали работать на высоких частотах, потреблять больший ток и мощность при меньших напряжениях питания. Обострились паразитные эффекты (паразитная емкость связи между проводниками, приводящая к перекрестным искажениям, электромиграция, времязависимый пробой подзатворных оксидов, паразитное падение напряжения в цепях питания и заземления, паразитные ...

Проектирование микропроцессорных ядер в САПР ПЛИС WebPACK ISE фирмы Xilinx

Предлагается повторно переработать проект микропроцессорного ядра из работ [1, 2] в базисе ПЛИС фирмы Xilinx с использованием САПР WebPACK ISE, с целью изучения эффективности упаковки логики ПЛИС различных технологических поколений и архитектур фирм Xilinx и Altera соответствующими средствами САПР. В основе микропроцессорного ядра используется управляющий автомат с циклом работы в два такта и...

Разработка модели микропроцессорного ядра в системе визуально-имитационного моделирования MATLAB/Simulink с блоком обработки прерываний

Данная статья продолжает цикл работ по изучению возможностей системы визуально-имитационного моделирования MATLAB/Simulink для проектирования микропроцессорных ядер с последующей реализацией в базисе ПЛИС [1–3]. Здесь предлагается модифицировать систему команд микропроцессорного ядра из работы [4], c целью разработки новых блоков, проектирование которых не рассматривалось в [1–3]: обработка пре...

Проектирование академических ПЛИС типа ППВМ с одноуровневой структурой межсоединений

В статье рассматриваются программные инструменты T-Vpack и VPR, разработанные в университете Торонто (Канада) для проектирования академических ПЛИС типа ППВМ с одноуровневой структурой межсоединений под технологические проектные нормы 22–180 нм КМОП-технологии c минимальной площадью кристалла и шириной трассировочного канала, нахождением критического пути в трассировочных ресурсах ПЛИС. Успех...

Прогнозирование процесса деградации электрических параметров биполярных транзисторов с использованием моделей временных рядов

Считается, что воздействие электростатических разрядов (ЭСР) на полу: проводниковые изделия приводит к двум типам отказов: «катастрофическим» и «параметрическим». Как показывает практика, отличить параметрические отказы, вызванные ЭСР, и отказы, вызванные электрическими перегрузками во время работы РЭА, достаточно сложно [1, 2].

Проектирование топологии КМОП заказных БИС (часть 2)

Проектирование топологии базовых элементов имеет очень большое значение. А так как, по мнению ряда зарубежных фирм, стоимость процесса проектирования при ручном методе может превысить стоимость процесса изготовления БИС, то для ускорения сроков проектирования компаниям, не имеющим своих собственных производственных мощностей, целесообразно воспользоваться «готовой» топологической би...