Авторам
Редакция
О журнале
Реклама
Спецпроект Microchip
Спецпроект LTSpice
Войти
|
Регистрация
Свежий номер
Подписка
Архив номеров
Поиск
Меню
Skip to content
DSP и обработка сигналов
JTAG тестирование
RFID и системы идентификации
АЦП и ЦАП
Беспроводные технологии
Встраиваемые системы
ВЧ и СВЧ компоненты
Датчики
Дисплеи
Защита по току и напряжению
Измерительное оборудование
Интерфейсы
Источники питания
Пассивные компоненты
Микроконтроллеры
Микропроцессоры
Микросхемы памяти ОЗУ и ПЗУ
Операционные усилители
Светотехника
Осциллографы
Печатные платы и монтаж
ПЛИС и ПАИС
ПЛК и промышленные компьютеры
Разъемы
Рынок электронных компонентов
САПР
Силовая электроника
Специализированные микросхемы
Схемотехника и проектирование
Телекоммуникации
Технологии
Электронные компоненты
Подписка на новости
отправка...
Имя
E-mail
Согласен на обработку персональных данных
Облако меток
Microsemi
Radiall
ЕА-Elektro-Automatik
Dow-Key
ММП-Ирбис
Fluke
Semicom
Harwin
Litemax Electronics
Группа КРЕМНИЙ ЭЛ
АКРП
Futaba
LTSpice
TSMC
Active Technologies
Sintrones
SEDMAX
Прософт
Temex-Ceramics
FARADAY Electronics
RU Electronics
Phytec
Электровыпрямитель
Cadence
GSI Technology
Molex
Wieland
Keko Varicon
Rakon
ЭРЕМЕКС
Реклама
Саката Макото (Sakata Makoto)
Энергонезависимая память будущего Fujitsu FRAM
Свойства сегнетоэлектрической памяти FRAM уникальны: она сочетает в себе преимущества традиционных энергонезависимых ячеек и быстродействующих ячеек оперативной памяти. С экономической точки зрения это весьма перспективная технология.