Авторам
Редакция
О журнале
Реклама
Спецпроект Microchip
Спецпроект LTSpice
Войти
|
Регистрация
Свежий номер
Подписка
Архив номеров
Поиск
Меню
Skip to content
DSP и обработка сигналов
JTAG тестирование
RFID и системы идентификации
АЦП и ЦАП
Беспроводные технологии
Встраиваемые системы
ВЧ и СВЧ компоненты
Датчики
Дисплеи
Защита по току и напряжению
Измерительное оборудование
Интерфейсы
Источники питания
Пассивные компоненты
Микроконтроллеры
Микропроцессоры
Микросхемы памяти ОЗУ и ПЗУ
Операционные усилители
Светотехника
Осциллографы
Печатные платы и монтаж
ПЛИС и ПАИС
ПЛК и промышленные компьютеры
Разъемы
Рынок электронных компонентов
САПР
Силовая электроника
Специализированные микросхемы
Схемотехника и проектирование
Телекоммуникации
Технологии
Электронные компоненты
Подписка на новости
отправка...
Имя
E-mail
Согласен на обработку персональных данных
Облако меток
ACTEL
SMIC
GSI Technology
SEMIKRON
ADEL System
Gpixel
Александер Электрик
Sonitron
Schrack Technik
TME
Teledyne
Amplifier Research
Галфвинд
Оптрон-Ставрополь
Peregrine Semiconductor
Leaderdrive
ММП-Ирбис
Apple
Выставки
Philips
РТСофт
Plessey Semiconductors Ltd.
DWIN Technology
CDIL
ZEZ SILKO
CML Microcircuits
НПК «Марафон»
КБ «Икар»
Ланит
Диполь
Реклама
Саката Макото (Sakata Makoto)
Энергонезависимая память будущего Fujitsu FRAM
Свойства сегнетоэлектрической памяти FRAM уникальны: она сочетает в себе преимущества традиционных энергонезависимых ячеек и быстродействующих ячеек оперативной памяти. С экономической точки зрения это весьма перспективная технология.