Авторам
Редакция
О журнале
Реклама
Спецпроект Microchip
Спецпроект LTSpice
Войти
|
Регистрация
Свежий номер
Подписка
Архив номеров
Поиск
Меню
Skip to content
DSP и обработка сигналов
JTAG тестирование
RFID и системы идентификации
АЦП и ЦАП
Беспроводные технологии
Встраиваемые системы
ВЧ и СВЧ компоненты
Датчики
Дисплеи
Защита по току и напряжению
Измерительное оборудование
Интерфейсы
Источники питания
Пассивные компоненты
Микроконтроллеры
Микропроцессоры
Микросхемы памяти ОЗУ и ПЗУ
Операционные усилители
Светотехника
Осциллографы
Печатные платы и монтаж
ПЛИС и ПАИС
ПЛК и промышленные компьютеры
Разъемы
Рынок электронных компонентов
САПР
Силовая электроника
Специализированные микросхемы
Схемотехника и проектирование
Телекоммуникации
Технологии
Электронные компоненты
Подписка на новости
отправка...
Имя
E-mail
Согласен на обработку персональных данных
Облако меток
Phytec
Glenair Inc.
Microsemi
Molex
Wieland
Alliance Memory
GSI Technology
Компэл
Litemax Electronics
ASML
Fluke
Cadence
ЭРЕМЕКС
Semicom
Temex-Ceramics
Radiall
АКРП
НТЦ «Модуль»
Coupletech
Прософт
Sintrones
Futaba
Rakon
Active Technologies
ЕА-Elektro-Automatik
ИНЕЛСО
Waka
Электровыпрямитель
ММП-Ирбис
Keko Varicon
Реклама
Саката Макото (Sakata Makoto)
Энергонезависимая память будущего Fujitsu FRAM
Свойства сегнетоэлектрической памяти FRAM уникальны: она сочетает в себе преимущества традиционных энергонезависимых ячеек и быстродействующих ячеек оперативной памяти. С экономической точки зрения это весьма перспективная технология.