Развитие интегральных схем (ИС) связано с увеличением степени интеграции, то есть числа элементов на кристалле и функциональной сложности, что обеспечивается как уменьшением размеров элементов, в том числе ширины тонкопленочных проводников и зазоров между ними, так и увеличением площади кристалла. При этом площадь, занимаемая межсоединениями, увеличилась с 20% для ИС первой и второй степени инт...