Авторам
Редакция
О журнале
Реклама
Спецпроект Microchip
Спецпроект LTSpice
Войти
|
Регистрация
Свежий номер
Подписка
Архив номеров
Поиск
Меню
Skip to content
DSP и обработка сигналов
JTAG тестирование
RFID и системы идентификации
АЦП и ЦАП
Беспроводные технологии
Встраиваемые системы
ВЧ и СВЧ компоненты
Датчики
Дисплеи
Защита по току и напряжению
Измерительное оборудование
Интерфейсы
Источники питания
Пассивные компоненты
Микроконтроллеры
Микропроцессоры
Микросхемы памяти ОЗУ и ПЗУ
Операционные усилители
Светотехника
Осциллографы
Печатные платы и монтаж
ПЛИС и ПАИС
ПЛК и промышленные компьютеры
Разъемы
Рынок электронных компонентов
САПР
Силовая электроника
Специализированные микросхемы
Схемотехника и проектирование
Телекоммуникации
Технологии
Электронные компоненты
Подписка на новости
отправка...
Имя
E-mail
Согласен на обработку персональных данных
Облако меток
Александер Электрик
Apple
Gpixel
Sonitron
Leaderdrive
ZEZ SILKO
TME
КБ «Икар»
Teledyne
ММП-Ирбис
SEMIKRON
РТСофт
ASIX Electronics
НПК «Марафон»
Оптрон-Ставрополь
SMIC
CDIL
Peregrine Semiconductor
ADEL System
ACTEL
Plessey Semiconductors Ltd.
Галфвинд
Выставки
Schrack Technik
CML Microcircuits
Диполь
Amplifier Research
DWIN Technology
Philips
GSI Technology
Реклама
Кларк Питер (Peter Clarke)
Графен-на-стекле позволяет получить легированный транзистор
Команда ученых из Университета штата Нью-Йорк разработала метод создания графеновых слоев на обычном стекле с добавкой, дающей преимущество легирования.