Проблемы обеспечения низкого уровня паров воды в корпусах интегральных схем

Высокая надежность интегральных схем специального назначения достигается на стадии производства в результате минимизации содержания паров воды в герметичном корпусе, при условии постоянного мониторинга параметров инертной среды герметизации. Оптимизация технологии герметизации корпусов и использование импульсной шовно-роликовой сварки позволяют обеспечить высокий процент выхода годных и устойчи...

Дозирование припоя при автоматизированном монтаже кристаллов полупроводниковых приборов

Для обеспечения устойчивости мощных полупроводниковых приборов к термоциклическим нагрузкам и высокого выхода годных изделий необходимо оптимизировать дозу припоя и параметры вибрационной пайки при монтаже кристаллов. Оптимизация процесса дозирования припоя позволит обеспечить надежный технологический процесс сборки с высокой управляемостью, стабильностью и воспроизводимостью тепловых параметро...

Конструктивно-технологические особенности MOSFET транзисторов

Рассмотрены различные структуры и конструктивно-технологические особенности металлооксидных полупроводниковых полевых транзисторов (MOSFET). Определены оптимальные варианты конструктивно-технологического исполнения MOSFET и способы монтажа кристаллов в корпус, обеспечивающие стабильность и воспроизводимость параметров изделий. Представленная информация будет полезна специалистам, работающим в о...

Особенности сборки транзисторов в корпусе D-PAK

Авторы статьи, имея многолетний опыт в области сборки и монтажа изделий электроники, разрабатывают новые автоматизированные процессы монтажа кристаллов транзисторов вибрационной пайкой в защитной атмосфере. Для того чтобы гарантировать требуемую устойчивость мощных транзисторов, выполненных в корпусе D-Pak, к условиям поверхностного монтажа, необходимо обеспечить высокое качество посадки криста...