В этой статье завершается знакомство с выходными данными, генерируемыми программой, и рассказывается о моделях индуктивных компонентов, генерируемых Transformer Designer, а также о базе данных программы Transformer Designer.

Цель третьего урока — завершить знакомство читателя с шагами, которые выполняет программа при разработке индуктивных компонентов, а также рассмотреть математические расчеты, которые осуществляет программа, и познакомить читателя с выходными данными, генерируемыми программой Transformer Designer.

Цель второго урока — познакомить читателя с шагами, которые выполняет программа при разработке индуктивных компонентов, и рассмотреть математические расчеты, выполняемые программой.

Данная публикация открывает серию статей, посвященных новой программе Transformer Designer, включенной в последнюю версию системы сквозного моделирования OrCAD 10.5 и предназначенной для разработки трансформаторов и дросселей. Материал будет изложен в виде четырех уроков. Целью первого урока является ознакомление с возможностями и основными правилами работы с программой.

В данной статье подробно рассмотрены прикладные проблемы при проектировании схем с использованием монолитных СВЧ интегральных схем (MMIC) усилителей мощности, даны подробные рекомендации по расчету и проектированию схем согласования с возможностью перехода к дешевым материалам печатных плат, приводятся примеры с результатами моделирования и экспериментальными данными.

В данной статье анализируется поведение MOSFET-транзистора при высоком напряжении питания в мощном конверторе с преобразованием при нулевом напряжении, и выдвигается оригинальная теория причины пробоя MOSFET-транзистора. Здесь также предложены новые технические решения по повышению устойчивости транзистора и, следовательно, надежности всего оборудования.

В статье приводится вывод формулы расчета потерь в ферритовых сердечниках индуктивных компонентов силовой электроники (в том числе с учетом температурной зависимости), перечислены основные трудности и ограничения при составлении модели потерь с использованием экспериментальных данных.

Благодаря своей структуре, в преобразователях с переключением при нулевом напряжении транзисторы CoolMOS значительно более надежны, чем другие мощные MOSFET-транзисторы. В статье объясняются причины возникновения эксплуатационных отказов, описываются процессы внутри силового транзистора, перечисляются свойства транзисторов CoolMOS, благодаря которым они не восприимчивы к механизму термического ...