Статья посвящена вопросам обеспечения устойчивости модулей IGBT 3-го поколения, выполненных по технологии Trench FS , к короткому замыканию (КЗ). Описаны механизмы отказа модулей, приведены методы оптимизации структуры кристаллов, позволяющие повысить их стойкость к КЗ. Анализ состояния чипов Trench FS в условиях повторяющихся коротких замыканий показал, что количество КЗ, приводящих к повре...