Любая представленная выборка при выпуске интегральных схем (ИС) состоит из трех различных по надежности групп: группа, характеризующаяся интенсивностью отказов, соответствующей требованиям технических условий (ТУ) на интегральные схемы, группа более надежная и группа интегральных схем, менее надежная по сравнению с требованиями ТУ. Целью отбраковочных технологических испытаний интегральных схем...

Известно, какой вред полупроводниковым изделиям наносит электростатический заряд. Аккумуляция заряда на пластинах и фотошаблонах приводит к потерям в выходе годных интегральных схем, так как заряженная пластина или фотошаблон, подобно пылемагниту, способны собирать частицы пыли даже в самой чистой среде. Анализ показывает, что до 65% отказов КМОП интегральных схем на некоторых предприятиях-из...

На этапе проектирования проблему повышения радиационной стойкости аппаратуры наиболее эффективно можно решить соответствующим выбором способа коррекции переходных и частотных характеристик усилителя. Наилучшие результаты получаются при включении быстродействующего канала (рис. 1) параллельно наиболее инерционному каскаду интегрального операционного усилителя, а наихудшие результаты — при коррек...

В работе предложена конструкция микроэлектронного датчика влажности поверхностно-конденсационного типа и методика измерения паров воды внутри корпусов интегральных схем.

Низкочастотные шумы полупроводниковых изделий, как наиболее специфические для этих изделий, могут служить для прогнозирования их качества и надежности.

Развитие интегральных схем (ИС) связано с увеличением степени интеграции, то есть числа элементов на кристалле и функциональной сложности, что обеспечивается как уменьшением размеров элементов, в том числе ширины тонкопленочных проводников и зазоров между ними, так и увеличением площади кристалла. При этом площадь, занимаемая межсоединениями, увеличилась с 20% для ИС первой и второй степени инт...