Авторам
Редакция
О журнале
Реклама
Спецпроект Microchip
Спецпроект LTSpice
Войти
|
Регистрация
Свежий номер
Подписка
Архив номеров
Поиск
Меню
Skip to content
DSP и обработка сигналов
JTAG тестирование
RFID и системы идентификации
АЦП и ЦАП
Беспроводные технологии
Встраиваемые системы
ВЧ и СВЧ компоненты
Датчики
Дисплеи
Защита по току и напряжению
Измерительное оборудование
Интерфейсы
Источники питания
Пассивные компоненты
Микроконтроллеры
Микропроцессоры
Микросхемы памяти ОЗУ и ПЗУ
Операционные усилители
Светотехника
Осциллографы
Печатные платы и монтаж
ПЛИС и ПАИС
ПЛК и промышленные компьютеры
Разъемы
Рынок электронных компонентов
САПР
Силовая электроника
Специализированные микросхемы
Схемотехника и проектирование
Телекоммуникации
Технологии
Электронные компоненты
Подписка на новости
отправка...
Имя
E-mail
Согласен на обработку персональных данных
Облако меток
Leaderdrive
Apple
ADEL System
Диполь
Галфвинд
Philips
Оптрон-Ставрополь
Plessey Semiconductors Ltd.
Gpixel
Ланит
TME
Teledyne
РТСофт
Александер Электрик
DWIN Technology
ММП-Ирбис
Выставки
Peregrine Semiconductor
SMIC
Amplifier Research
ZEZ SILKO
НПК «Марафон»
SEMIKRON
КБ «Икар»
Schrack Technik
ACTEL
CDIL
Sonitron
GSI Technology
CML Microcircuits
Реклама
Глазов Геннадий
Методика восстановления трехпортовой бесструктурной модели полевого транзистора с затвором Шоттки
В статье представлена разработанная авторами методика восстановления трехпортовой бесструктурной модели полевого транзистора с затвором Шоттки по результатам измерений параметров рассеяния тестовых элементов на пластине.