Авторам
Редакция
О журнале
Реклама
Спецпроект Microchip
Спецпроект LTSpice
Войти
|
Регистрация
Свежий номер
Подписка
Архив номеров
Поиск
Меню
Skip to content
DSP и обработка сигналов
JTAG тестирование
RFID и системы идентификации
АЦП и ЦАП
Беспроводные технологии
Встраиваемые системы
ВЧ и СВЧ компоненты
Датчики
Дисплеи
Защита по току и напряжению
Измерительное оборудование
Интерфейсы
Источники питания
Пассивные компоненты
Микроконтроллеры
Микропроцессоры
Микросхемы памяти ОЗУ и ПЗУ
Операционные усилители
Светотехника
Осциллографы
Печатные платы и монтаж
ПЛИС и ПАИС
ПЛК и промышленные компьютеры
Разъемы
Рынок электронных компонентов
САПР
Силовая электроника
Специализированные микросхемы
Схемотехника и проектирование
Телекоммуникации
Технологии
Электронные компоненты
Подписка на новости
отправка...
Имя
E-mail
Согласен на обработку персональных данных
Облако меток
ASML
GSI Technology
Active Technologies
Temex-Ceramics
Прософт
Cadence
ЕА-Elektro-Automatik
Microsemi
Coupletech
Alliance Memory
Waka
ИНЕЛСО
Glenair Inc.
Semicom
Электровыпрямитель
Litemax Electronics
Fluke
Sintrones
ММП-Ирбис
Rakon
Компэл
Keko Varicon
НТЦ «Модуль»
Futaba
Radiall
Molex
АКРП
Wieland
Phytec
ЭРЕМЕКС
Реклама
Глазов Геннадий
Методика восстановления трехпортовой бесструктурной модели полевого транзистора с затвором Шоттки
В статье представлена разработанная авторами методика восстановления трехпортовой бесструктурной модели полевого транзистора с затвором Шоттки по результатам измерений параметров рассеяния тестовых элементов на пластине.