В третьей статье цикла рассматриваются вакуумные, пленочные и полупроводниковые термоэлектрические преобразователи, обеспечивающие метрологические характеристики широкополосных ПСКЗ.

Во второй статье цикла рассматриваются полупроводниковые микросхемы для определения среднеквадратического значения (СКЗ) или мощности электрических сигналов в широкой полосе частот.

Разработка высококачественного входного аналогового блока на универсальных ИС затруднительна из-за жестких требований, предъявляемых к элементной базе во входных каскадах радиоизмерительных приборов. В качестве выхода из сложившейся ситуации ряд производителей измерительного оборудования начал производство собственных специализированных микросхем.

Чаще всего дискретные FET применяют в дифференциальных каскадах, так как ДК и построенные на их основе ОУ — это наиболее универсальные блоки, позволяющие реализовать различные способы аналоговой обработки сигналов.

Номенклатура аналоговых микросхем с входными FET очень широка, но наибольший интерес у разработчиков РЭА вызывают полупроводниковые изделия с предельным уровнем электрических параметров, к которым можно отнести электрометрические операционные и инструментальные усилители.

Рассмотрены новые возможности анализа полупроводниковых приборов и структур, предоставляемые измерителем параметров ИППП-1 при совместном использовании с графическим постпроцессором Probe.