Авторам
Редакция
О журнале
Реклама
Спецпроект Microchip
Спецпроект LTSpice
Войти
|
Регистрация
Свежий номер
Подписка
Архив номеров
Поиск
Меню
Skip to content
DSP и обработка сигналов
JTAG тестирование
RFID и системы идентификации
АЦП и ЦАП
Беспроводные технологии
Встраиваемые системы
ВЧ и СВЧ компоненты
Датчики
Дисплеи
Защита по току и напряжению
Измерительное оборудование
Интерфейсы
Источники питания
Пассивные компоненты
Микроконтроллеры
Микропроцессоры
Микросхемы памяти ОЗУ и ПЗУ
Операционные усилители
Светотехника
Осциллографы
Печатные платы и монтаж
ПЛИС и ПАИС
ПЛК и промышленные компьютеры
Разъемы
Рынок электронных компонентов
САПР
Силовая электроника
Специализированные микросхемы
Схемотехника и проектирование
Телекоммуникации
Технологии
Электронные компоненты
Подписка на новости
отправка...
Имя
E-mail
Согласен на обработку персональных данных
Облако меток
Выставки
Beisit Electric Tech
НПК «Марафон»
RUICHI
Syfer
OEwaves
Tianma Microelectronics
AnaPico
МосЭП
ACTEL
Sencera
Александер Электрик
Winmate
Abracon Corporation
GSI Technology
BIWIN
Carlisle
Ortus Technology
Оптрон-Ставрополь
Гириконд
Sonitron
ZEZ SILKO
ВЗПП
НИИМА «Прогресс»
SEMIKRON
Cervoz
НПО «ЭРКОН»
ММП-Ирбис
Plessey Semiconductors Ltd.
Samsung Display
Реклама
Дикарев Владимир
Мощные ВЧ и СВЧ полевые транзисторы для аппаратуры средств радиосвязи
В данной статье речь идет о новых мощных ВЧ и СВЧ полевых (DMOS) генераторных транзисторах, разработанных и освоенных на Воронежском ФГУП «НИИ электронной техники».