Авторам
Редакция
О журнале
Реклама
Спецпроект Microchip
Спецпроект LTSpice
Войти
|
Регистрация
Свежий номер
Подписка
Архив номеров
Поиск
Меню
Skip to content
DSP и обработка сигналов
JTAG тестирование
RFID и системы идентификации
АЦП и ЦАП
Беспроводные технологии
Встраиваемые системы
ВЧ и СВЧ компоненты
Датчики
Дисплеи
Защита по току и напряжению
Измерительное оборудование
Интерфейсы
Источники питания
Пассивные компоненты
Микроконтроллеры
Микропроцессоры
Микросхемы памяти ОЗУ и ПЗУ
Операционные усилители
Светотехника
Осциллографы
Печатные платы и монтаж
ПЛИС и ПАИС
ПЛК и промышленные компьютеры
Разъемы
Рынок электронных компонентов
САПР
Силовая электроника
Специализированные микросхемы
Схемотехника и проектирование
Телекоммуникации
Технологии
Электронные компоненты
Подписка на новости
отправка...
Имя
E-mail
Согласен на обработку персональных данных
Облако меток
SMIC
Диполь
Teledyne
Amplifier Research
ACTEL
НПК «Марафон»
КБ «Икар»
Gpixel
Sonitron
Галфвинд
ADEL System
РТСофт
Выставки
Peregrine Semiconductor
SEMIKRON
Оптрон-Ставрополь
Leaderdrive
Schrack Technik
Philips
Apple
ZEZ SILKO
TME
CDIL
Александер Электрик
Plessey Semiconductors Ltd.
GSI Technology
ММП-Ирбис
DWIN Technology
Ланит
CML Microcircuits
Реклама
Дикарев Владимир
Мощные ВЧ и СВЧ полевые транзисторы для аппаратуры средств радиосвязи
В данной статье речь идет о новых мощных ВЧ и СВЧ полевых (DMOS) генераторных транзисторах, разработанных и освоенных на Воронежском ФГУП «НИИ электронной техники».