Преодоление полупроводниковой технологией 0,18 мкм барьера привело к тому, что поведение чисто цифровых схем стало аналоговым и появилась потребность в применении Spice-подобных программ длдя моделирования цепей, состоящих из мидллионов и десятков миллионов транзисторов.

Преодоление полупроводниковой технологией 0,18-мкм барьера привело к тому, что поведение чисто цифровых схем стало аналоговым и появилась потребность в применении Spice-подобных программ моделирования для цепей, состоящих из миллионов и десятков миллионов транзисторов. Настоящей публикацией заканчивается аналитический обзор, посвященный этой проблеме.

Основной проблемой статистического моделирования является сокращение вычислительных затрат при сохранении приемлемой достоверности полученных результатов.

В статье подробно рассматривается метод главных компонентов при моделировании разброса параметров транзисторов в КМОП СБИС.

Приближение полупроводниковой технологии к фундаментальным физическим пределам приводит к тому, что размеры транзисторов уменьшаются быстрее, чем технологические допуски на эти размеры. В результате резко возрастает проблема выхода годных кристаллов, которая обостряется одновременным увеличением стоимости выполняемых проектов и стоимости комплекта фотошаблонов. Однако сама по себе проблема не т...

Каждый шаг полупроводниковой технологии в направлении уменьшения размеров элементов СБИС приводит к появлению новых физических эффектов, для описания которых необходимы модели, основанные на глубоком знании физических процессов в полупроводниковом приборе. В настоящей статье приведено краткое описание физических эффектов, которые обычно учитываются в современных компактных моделях [1] МОП-транз...

Основой безошибочного проектирования глубоко субмикронных СБИС являются точные и достоверные компактные модели МОП транзисторов. Каждый шаг полупроводниковой технологии в направлении уменьшения размеров элементов приводит к обнаружению новых физических эффектов, для описания которых необходимы новые модели, учитывающие эти эффекты. В статье приводится обзор современных методов построения компак...

Преодоление полупроводниковой технологией 0,25-микронного рубежа предъявило новые требования к системам моделирования ИС. Теперь даже цифровые ИС требуют детального схемотехнического моделирования с применением точных компактных моделей. В статье описаны методологические проблемы построения компактных моделей МОП-транзисторов.

Преодоление полупроводниковой технологией 0,25-микронного рубежа предъявило новые требования к системам моделирования ИС. Теперь даже цифровые ИС требуют детального схемотехнического моделирования с применением точных компактных моделей. В статье описаны методологические проблемы построения компактных моделей МОП-транзисторов.

Общей тенденцией в развитии компактных моделей является усложнение системы уравнений модели, сокращение числа параметров, упрощение процедуры их идентификации, учет новых физических эффектов, обеспечение физичности модели за границами динамического диапазона и обеспечение точности высших производных.