Авторам
Редакция
О журнале
Реклама
Спецпроект Microchip
Спецпроект LTSpice
Войти
|
Регистрация
Свежий номер
Подписка
Архив номеров
Поиск
Меню
Skip to content
DSP и обработка сигналов
JTAG тестирование
RFID и системы идентификации
АЦП и ЦАП
Беспроводные технологии
Встраиваемые системы
ВЧ и СВЧ компоненты
Датчики
Дисплеи
Защита по току и напряжению
Измерительное оборудование
Интерфейсы
Источники питания
Пассивные компоненты
Микроконтроллеры
Микропроцессоры
Микросхемы памяти ОЗУ и ПЗУ
Операционные усилители
Светотехника
Осциллографы
Печатные платы и монтаж
ПЛИС и ПАИС
ПЛК и промышленные компьютеры
Разъемы
Рынок электронных компонентов
САПР
Силовая электроника
Специализированные микросхемы
Схемотехника и проектирование
Телекоммуникации
Технологии
Электронные компоненты
Подписка на новости
отправка...
Имя
E-mail
Согласен на обработку персональных данных
Облако меток
Gpixel
CML Microcircuits
GSI Technology
Peregrine Semiconductor
SEMIKRON
Ланит
DWIN Technology
SMIC
РТСофт
TME
Amplifier Research
Plessey Semiconductors Ltd.
ZEZ SILKO
НПК «Марафон»
Schrack Technik
Leaderdrive
ММП-Ирбис
Галфвинд
Оптрон-Ставрополь
Диполь
Александер Электрик
CDIL
Philips
ACTEL
Выставки
КБ «Икар»
Sonitron
Teledyne
Apple
ADEL System
Реклама
Цоцорин Андрей
Мощные ВЧ и СВЧ полевые транзисторы для аппаратуры средств радиосвязи
В данной статье речь идет о новых мощных ВЧ и СВЧ полевых (DMOS) генераторных транзисторах, разработанных и освоенных на Воронежском ФГУП «НИИ электронной техники».