Нитрид галлия — премьер среди новых материалов полупроводниковой микроэлектроники
Благодаря хорошим электрофизическим параметрам широкозонные полупроводники наиболее привлекательны среди новых материалов для повышения частотных, мощностных свойств и эффективности современных и перспективных продуктов микроэлектроники. До недавнего времени карбид кремния оставался безальтернативным вариантом для высоковольтных (свыше 600 В) мощных приборов, где необходимы высокие эффективност...