Высокотемпературные тензорезистивные датчики давлений на основе карбида кремния. Состояние разработок и тенденции развития

Представлены состояние разработок, тенденции развития, а также конструктивно-технологические проблемы создания высокотемпературных тензорезистивных датчиков давлений на основе карбида кремния.

Микроэлектронные датчики физических величин на основе МЭМС-технологий

В статье приводятся примеры реализации разработанных в ОАО «НИИФИ» конструктивно-технологических решений (КтР) объемных кремниевых микроэлектромеханических структур (МЭМС). МЭМС необходимы при создании широкой номенклатуры микроэлектронных датчиков физических величин для ракетно-космической техники и общепромышленного применения.

Полупроводниковые чувствительные элементы датчиков давления на основе наноструктурированного поликристаллического кремния

В новых разработках интегральных чувствительных элементов (ЧЭ) датчиков физических величин в целях обеспечения улучшенных эксплуатационных и метрологических характеристик применяются структуры «кремний-на-диэлектрике» (КНД): в данном случае тензорезистивная мостовая измерительная схема, а также другие элементы, входящие в состав ЧЭ датчиков, (терморезистор(ы), транзистор(ы) и др.) изолированы о...

Полупроводниковые тензорезистивные датчики давления на основе КНД-структуры

Представлены конструкции некоторых датчиков давления, а также их полупроводниковых чувствительных элементов, выполненных на основе структуры кремний-на-диэлектрике.

Конструкция и некоторые результаты исследований магнитодиодов при воздействии температур широкого диапазона

В статье рассмотрены конструкция, технология изготовления и некоторые результаты исследований чувствительного элемента датчиковой аппаратуры, в качестве которого использован магнитодиод.

Результаты исследования высокотемпературных полупроводниковых чувствительных элементов датчиков давления на основе структуры «кремний-на-диэлектрике»

Рассмотрены конструкция и результаты исследований высокотемпературных полупроводниковых чувствительных элементов датчиков давления.