Представлены состояние разработок, тенденции развития, а также конструктивно-технологические проблемы создания высокотемпературных тензорезистивных датчиков давлений на основе карбида кремния.

В статье приводятся примеры реализации разработанных в ОАО «НИИФИ» конструктивно-технологических решений (КтР) объемных кремниевых микроэлектромеханических структур (МЭМС). МЭМС необходимы при создании широкой номенклатуры микроэлектронных датчиков физических величин для ракетно-космической техники и общепромышленного применения.

В новых разработках интегральных чувствительных элементов (ЧЭ) датчиков физических величин в целях обеспечения улучшенных эксплуатационных и метрологических характеристик применяются структуры «кремний-на-диэлектрике» (КНД): в данном случае тензорезистивная мостовая измерительная схема, а также другие элементы, входящие в состав ЧЭ датчиков, (терморезистор(ы), транзистор(ы) и др.) изолированы о...

Представлены конструкции некоторых датчиков давления, а также их полупроводниковых чувствительных элементов, выполненных на основе структуры кремний-на-диэлектрике.

В статье рассмотрены конструкция, технология изготовления и некоторые результаты исследований чувствительного элемента датчиковой аппаратуры, в качестве которого использован магнитодиод.

Рассмотрены конструкция и результаты исследований высокотемпературных полупроводниковых чувствительных элементов датчиков давления.