Компания International Rectifier анонсировала выпуск новой продукции — силовых IGBT-модулей. На первом этапе в производство запущены модули на базе IGBT-кристаллов поколений Gen5 и Gen7. Затем предполагается начать изготовление модулей, содержащих IGBT-кристаллы нового поколения Gen8, обладающих низкими значениями напряжения насыщения и способных коммутировать большие токи. Цель данной статьи —...

Силовые транзисторы International Rectifier в корпусе DirectFET характеризуются малым сопротивлением канала, низкой индуктивностью выводов и отличной теплоотдачей. Однако непривычная конструкция корпуса может создать некоторые неудобства при монтаже. Но если вы будете следовать советам производителя и его рекомендациям по монтажу таких компонентов, то сможете снизить риск появления брака при их...

Сверхбыстродействующие WARP-speed IGBT-транзисторы компании International Rectifier хорошо знакомы разработчикам силовой электроники. Они разрабатывались в качестве альтернативы MOSFET в приложениях с рабочей частотой до 150 кГц. Примером таких приложений являются импульсные DC/DC-источники питания (ИП). Цель статьи — анализ перспективности использования WARP-speed IGBT c учетом обобщенных теор...

В статье описаны особенности построения вторичных цепей электропитания бортовой аппаратуры (БА) космических аппаратов (КА), что позволяет ограничить распространение катастрофических сбоев и отказов внутри одного блока или функционального узла. Также в статье рассматривается электронная компонентная база (ЭКБ) иностранного производства, позволяющая реализовать указанные схемотехнические решения ...

Существует множество способов гальванической развязки сигналов: оптроны, трансформаторы, реле. Каждое из этих устройств имеет достоинства и недостатки. Компания International Rectifier предлагает свое решение проблемы гальванической изоляции в виде твердотельных реле и оптических изоляторов. Твердотельные реле International Rectifier сочетают в себе как простоту и надежность оптронов, так и сил...