Подписка на новости

Опрос

Нужны ли комментарии к статьям? Комментировали бы вы?

Реклама

 

Все статьи автора

Новые физические эффекты в нанометровых МОП-транзисторах , (Компоненты и технологии №12'2009)

Каждый шаг полупроводниковой технологии в направлении уменьшения размеров элементов СБИС приводит к появлению новых физических эффектов, для описания которых необходимы модели, основанные на глубоком знании физических процессов в полупроводниковом приборе. В настоящей статье приведено краткое описание физических эффектов, которые обычно учитываются в современных компактных моделях [1] МОП-транзисторов.

Принципы построения компактных моделей МОП-транзисторов. Часть 2, (Компоненты и технологии №11'2009)

Общей тенденцией в развитии компактных моделей является усложнение системы уравнений модели, сокращение числа параметров, упрощение процедуры их идентификации, учет новых физических эффектов, обеспечение физичности модели за границами динамического диапазона и обеспечение точности высших производных.

Принципы построения компактных моделей МОП транзисторов. Часть 1, (Компоненты и технологии №10'2009)

Основой безошибочного проектирования глубоко субмикронных СБИС являются точные и достоверные компактные модели МОП транзисторов. Каждый шаг полупроводниковой технологии в направлении уменьшения размеров элементов приводит к обнаружению новых физических эффектов, для описания которых необходимы новые модели, учитывающие эти эффекты. В статье приводится обзор современных методов построения компактных моделей МОП транзисторов.

Моделирование МОП-транзисторов. Методологический аспект, (Компоненты и технологии №8'2004)

Преодоление полупроводниковой технологией 0,25-микронного рубежа предъявило новые требования к системам моделирования ИС. Теперь даже цифровые ИС требуют детального схемотехнического моделирования с применением точных компактных моделей. В статье описаны методологические проблемы построения компактных моделей МОП-транзисторов.

Моделирование МОП-транзисторов. Методологический аспект, (Компоненты и технологии №7'2004)

Преодоление полупроводниковой технологией 0,25-микронного рубежа предъявило новые требования к системам моделирования ИС. Теперь даже цифровые ИС требуют детального схемотехнического моделирования с применением точных компактных моделей. В статье описаны методологические проблемы построения компактных моделей МОП-транзисторов.

Испытания электронной аппаратуры: быстро и эффективно, (Компоненты и технологии №5'2004)

Модули NL производства RLDA (www.RLDA.ru) имеют дифференциальные входы (за исключением NL-8AI, который позволяет программно выбирать дифференциальный или одиночный тип входов).

Испытания электронной аппаратуры: быстро и эффективно, (Компоненты и технологии №4'2004)

Проблемы испытаний электронной аппаратуры возникают при необходимости выполнить и обработать большой объем измерений или провести качественные испытания большого количества серийной продукции. В настоящей статье предлагается очень эффективный подход к проведению испытаний, основанный на применении обычного компьютера и относительно новых технических и программных средств, таких, как распределенные системы сбора данных и управления RelLab!, сеть на основе интерфейса RS-485, сервер ОРС, объекты ActiveX, VBA и MS Excel. Рассматривается также нормативный аспект построения испытательных стендов.

Моделирование разброса параметров транзисторов в КМОП СБИС. Часть 3, (Компоненты и технологии №1'2004)

Основной проблемой статистического моделирования является сокращение вычислительных затрат при сохранении приемлемой достоверности полученных результатов.

Моделирование разброса параметров транзисторов в КМОП СБИС . Часть 2, (Компоненты и технологии №9'2003)

В статье подробно рассматривается метод главных компонентов при моделировании разброса параметров транзисторов в КМОП СБИС.

Моделирование разброса параметров транзисторов в КМОП СБИС . Часть 1, (Компоненты и технологии №8'2003)

Приближение полупроводниковой технологии к фундаментальным физическим пределам приводит к тому, что размеры транзисторов уменьшаются быстрее, чем технологические допуски на эти размеры. В результате резко возрастает проблема выхода годных кристаллов, которая обостряется одновременным увеличением стоимости выполняемых проектов и стоимости комплекта фотошаблонов. Однако сама по себе проблема не так страшна, как неумение моделировать ее последствия. В предлагаемом аналитическом образе описано современное состояние проблемы статического моделирования интегральных схем.

Проблемы схемотехнического моделирования КМОП СБИС, (Компоненты и технологии №4'2002)

Преодоление полупроводниковой технологией 0,18-мкм барьера привело к тому, что поведение чисто цифровых схем стало аналоговым и появилась потребность в применении Spice-подобных программ моделирования для цепей, состоящих из миллионов и десятков миллионов транзисторов. Настоящей публикацией заканчивается аналитический обзор, посвященный этой проблеме.

Проблемы схемотехнического моделирования КМОП СБИС, (Компоненты и технологии №3'2002)

Преодоление полупроводниковой технологией 0,18 мкм барьера привело к тому, что поведение чисто цифровых схем стало аналоговым и появилась потребность в применении Spice-подобных программ длдя моделирования цепей, состоящих из мидллионов и десятков миллионов транзисторов.

Построение автоматизированных испытательных стендов с помощью системы RealLab! и MS Excel, (Компоненты и технологии №6'2001)

Разработка и производство качественной электронной аппаратуры требует проведения испытаний на соответствие аппаратуры и ее компонентов требованиям технических условий, на стойкость к воздействию температуры, вибрации, ударов, влаги, давления, радиации, света и т.