Подписка на новости

Опрос

Нужны ли комментарии к статьям? Комментировали бы вы?

Реклама

 

Все статьи автора

MOSFET транзисторы фирмы STMicroelectronics для электронных балластов, (Компоненты и технологии №8'2005)

Трубчатые люминесцентные лампы нашли массовое применение в промышленных, общественных и коммерческих зданиях (для внутреннего освещения). Благодаря повышенной энергоэффективности и способности создавать рассеянный свет, они идеально подходят для освещения больших открытых помещений. Однако качество освещения и продолжительность срока службы лампы зависят от устройства, обеспечивающего ее зажигание и поддержание рабочего режима. Обыкновенно электропитание люминесцентных ламп производится током сетевой частоты 50 Гц от электромагнитных пускорегулирующих аппаратов (ПРА), в которых высокое напряжение для зажигания получают от реактора после размыкания биметаллического ключа, обеспечивающего протекание через себя тока накала электродов при замкнутом состоянии контактов.

Семейство SuperMESH. Новая серия NK высоковольтных MOSFET силовых транзисторов, (Компоненты и технологии №7'2003)

Фирма STMicroelectronics, исследовав возможности технологии Mesh Overlay, разработала и оптимизировала серию транзисторов SuperMESH. В транзисторах этой серии между выводами затвора и истока были добавлены защитные стабилитроны.

Прорыв в технологии малосигнальных транзисторов, (Компоненты и технологии №6'2003)

Долгое время производителей портативных электронных устройств устраивали транзисторы, подобные BC547 и BC337 в корпусах SOT54; или BC847 и BC817 в корпусах SOT23. Если возникала потребность в поупроводниках большой мощности, разработчики довольствовались 3-амперными транзисторами BDP31 в корпусах SOT223. Однако возрастающие требования к миниатюризации аппаратуры заставляют многих производителей выпускать компоненты меньших и меньших размеров. Например, корпус SOT490 имеет размеры 1,6×0,8×0,7 мм по сравнению со все еще очень популярным SOT23 — 2,9×1,3×0,9 мм. И наблюдается тенденция к дальнейшему уменьшению размеров компонентов. С другой стороны, необходимый ток коллектора наоборот увеличивается. А потребность в более высоком КПД, позволяющем увеличить срок службы батареи, требует создания новых транзисторов с низким напряжением насыщения коллектор-эмиттер и высоким усилением по току.