Подписка на новости

Опрос

Нужны ли комментарии к статьям? Комментировали бы вы?

Реклама

 

Все статьи автора

Электронный генератор на бистабильном транзисторном элементе, (Компоненты и технологии №11'2014)

В работе приводится описание генератора модулированных сигналов на одном бистабильном транзисторном элементе с обнаруженной оптической и электрической памятью.

Влияние гамма- и электронного облучения на ключевые параметры мощных высокочастотных диффузионных диодов, (Компоненты и технологии №10'2013)

Эта статья посвящена исследованию возможных различий электронного и гамма-радиационного воздействия с точки зрения оптимального сочетания важнейших параметров кремниевых диффузионных выпрямительных диодов средней мощности — прямого падения напряжения (UF), обратного тока (IR) и времени восстановления обратного сопротивления (τrr).

Исследование влияния нейтронного облучения на характеристические параметры кремниевых ограничителей напряжения , (Компоненты и технологии №5'2012)

Бурное развитие силовой электроники, происходящее в настоящее время, требует постоянного совершенствования полупроводниковых приборов, таких как биполярные транзисторы с изолированным затвором и быстродействующие тиристоры, которые позволят создавать высокоэффективные преобразователи. Однако эти преобразователи в процессе работы подвергаются значительным импульсным перегрузкам с крутыми фронтами менее микросекунды, что может привести к преждевременному выходу их из строя. Для защиты этих приборов, а также радиоэлектронных устройств от перенапряжения начинают использовать полупроводниковые ограничители напряжения, которые рассчитаны на большие мощности и способны пропускать импульсный ток в сотни ампер без существенного увеличения напряжения на них при малом времени срабатывания. Их быстродействие определяется временем жизни неосновных носителей и емкостью. Соответственно, задавая эти параметры, можно управлять инерционностью полупроводникового ограничителя напряжения.

Приборные характеристики силовых диодов на основе кремниевых p+-n+, p+-n-n+ и p+-р-n-n+ структур, (Компоненты и технологии №4'2012)

В статье приведены некоторые примеры использования с учетом приборных характеристик ограничителей напряжения в оригинальных принципиальных электронных схемах, как в тех, что предложены впервые, так и в модернизированных схемах, уже известных специалистам.

Малогабаритные бескорпусные полупроводниковые ограничители напряжения, (Компоненты и технологии №9'2011)

Развитие систем передачи информации, телевидения, телекоммуникации, а также появление различных электронных устройств контроля процессов и состояния окружающей среды, систем управления и диагностики ужесточают требования, предъявляемые к надежности электронных систем, к их защищенности от случайных перенапряжений и перегрузок. В этой связи большое внимание уделяется разработке эффективных приборов защиты радиоэлектронных устройств — полупроводниковых ограничителей напряжения.