Авторы статьи, имея многолетний опыт в области сборки и монтажа изделий электроники, разрабатывают новые автоматизированные процессы монтажа кристаллов транзисторов вибрационной пайкой в защитной атмосфере. Для того чтобы гарантировать требуемую устойчивость мощных транзисторов, выполненных в корпусе D-Pak, к условиям поверхностного монтажа, необходимо обеспечить высокое качество посадки кристаллов на кристаллоноситель. Создан оптимальный вариант конструктивно-технологического исполнения транзисторов в корпусе D-Pak, отличающийся стабильностью и воспроизводимостью тепловых параметров. Представленная информация будет полезна специалистам, работающим в области сборки изделий электроники.

Проблема обеспечения качества и надежности при сборке и монтаже изделий электроники нацеливает на использование эффективных методов диагностики скрытых дефектов. Методы должны обеспечивать высокую информативность контроля, достоверность, возможность автоматизации анализа результатов.

Проблема обеспечения качественных паяных соединений при сборке и монтаже изделий электроники заставляет обращать внимание на использование эффективных методов контроля паяемости электронных компонентов и функциональных покрытий деталей. Методы должны обеспечивать наименьшее время контроля, высокую достоверность, возможности автоматизации контроля и анализа результатов.

Рассмотрены различные структуры и конструктивно-технологические особенности металлооксидных полупроводниковых полевых транзисторов (MOSFET). Определены оптимальные варианты конструктивно-технологического исполнения MOSFET и способы монтажа кристаллов в корпус, обеспечивающие стабильность и воспроизводимость параметров изделий. Представленная информация будет полезна специалистам, работающим в области сборки изделий силовой электроники.

Для монтажа мощных полупроводниковых приборов в корпусе ТО-220 алюминиевыми перемычками разработано специальное технологическое оборудование и инструмент ультразвуковой микросварки. Методом лазерной фотоакустической диагностики определены типичные дефекты соединений ленточными перемычками.

Для обеспечения устойчивости мощных полупроводниковых приборов к термоциклическим нагрузкам и высокого выхода годных изделий необходимо оптимизировать дозу припоя и параметры вибрационной пайки при монтаже кристаллов. Оптимизация процесса дозирования припоя позволит обеспечить надежный технологический процесс сборки с высокой управляемостью, стабильностью и воспроизводимостью тепловых параметров транзисторов.

С повышением функциональной сложности электронных компонентов растут проблемы их монтажа и демонтажа с поверхности печатных плат. Конвективные источники нагрева не имеют непосредственного контакта с паяемыми элементами, отличаются регулируемой зоной нагрева и универсальностью применения.

Разработаны полуавтоматические многофункциональные установки для микросварки с использованием ультразвуковых и термозвуковых систем. Эти системы позволяют присоединять золотые и алюминиевые проводники диаметром от 20 до 200 мкм, что делает их идеальными для мелкосерийного производства. Шаговые электроприводы по координатам Z и Y дают возможность программно выполнять сварку одного или нескольких соединений с хорошей воспроизводимостью, а также присоединение объемных выводов для Flip-Chip монтажа.

Проблема обеспечения качества и надежности изделий электроники нацеливает на использование эффективных методов контроля и диагностики скрытых дефектов, которые должны обеспечивать высокую информативность, достоверность и автоматизацию анализа результатов.

В статье рассмотрены конструкции современных пластиковых карт, технологические процессы и оборудование для их серийного производства.

В последние несколько лет наиболее стремительное развитие получило новое направление развития электроники — так называемая RFID-технология (Radio Frequency Idеntification, радиочастотная идентификация). Эта технология позволяет, используя электронную метку, в состав которой входит электронный чип как носитель информации и ридер — как ее приемник и преобразователь, проводить временной учет событий с участием объектов, обрабатывать информацию и принимать решение о дальнейшем использовании объекта. Наиболее распространенными являются системы, основанные на принципе распознавания объекта по индивидуальному номеру.

MЭМС-технология в настоящее время является самой передовой и перспективной в области микроэлектроники. Совмещая в себе элементы полупроводниковой микроэлектроники и микромеханические элементы, МЭМС делает возможным создание полной системы на чипе. МЭМС объединяет широкий класс мембранных устройств, для которых усовершенствованы базовые технологические процессы изготовления и предложен способ формирования компенсирующего слоя.

MЭМС-технология в настоящее время является самой передовой и перспективной в области микроэлектроники. Совмещая в себе элементы полупроводниковой микроэлектроники и микромеханические элементы, МЭМС делает возможным создание полной системы на чипе. МЭМС объединяет широкий класс мембранных устройств, для которых усовершенствованы базовые технологические процессы изготовления и предложен способ формирования компенсирующего слоя.

В статье предложены пути решения проблем формирования микросварных соединений с повышенной плотностью монтажа. Они включают многоуровневое расположение выводов в корпусе, применение микроинструмента с утонением рабочего торца и прецизионных устройств формирования шарика, обеспечивающих воспроизводимость качества соединений.

На основе предложенных математических выражений определены оптимальные значения резонансной частоты и импеданса ультразвукового преобразователя повышенной частоты и условия закрепления инструмента в ультразвуковой системе микросварки проволочных выводов в процессах монтажа кристалла на плате (COB). Разработанная методика экспериментально подтверждена с помощью лазерного измерителя амплитуды колебаний. Оптимальное согласование элементов ультразвуковой технологической системы позволяет увеличить амплитуду колебаний инструмента и повысить прочность микросварных соединений при сварке на повышенных частотах.

Высокая надежность интегральных схем специального назначения достигается на стадии производства в результате минимизации содержания паров воды в герметичном корпусе, при условии постоянного мониторинга параметров инертной среды герметизации. Оптимизация технологии герметизации корпусов и использование импульсной шовно-роликовой сварки позволяют обеспечить высокий процент выхода годных и устойчивость к внешним дестабилизирующим факторам в экстремальных условиях эксплуатации.

Рассмотрены проблемы проволочного монтажа в технологии «кристалл на плате» методом ультразвуковой микросварки алюминиевой проволоки и контроль проволочных межсоединений между токопроводящей дорожкой на плате и контактной площадкой кристалла.