Подписка на новости

Опрос

Нужны ли комментарии к статьям? Комментировали бы вы?

Реклама

 

Все статьи автора

Полупроводниковые чувствительные элементы датчиков давления на основе наноструктурированного поликристаллического кремния, (Компоненты и технологии №9'2009)

В новых разработках интегральных чувствительных элементов (ЧЭ) датчиков физических величин в целях обеспечения улучшенных эксплуатационных и метрологических характеристик применяются структуры «кремний-на-диэлектрике» (КНД): в данном случае тензорезистивная мостовая измерительная схема, а также другие элементы, входящие в состав ЧЭ датчиков, (терморезистор(ы), транзистор(ы) и др.) изолированы от подложки изоляционным слоем, в качестве которого чаще всего выступает термически выращенная двуокись кремния (SiO2)