Подписка на новости

Опрос

Нужны ли комментарии к статьям? Комментировали бы вы?

Реклама

 

Все статьи автора

Высокотемпературные тензорезистивные датчики давлений на основе карбида кремния. Состояние разработок и тенденции развития , (Компоненты и технологии №8'2010)

Представлены состояние разработок, тенденции развития, а также конструктивно-технологические проблемы создания высокотемпературных тензорезистивных датчиков давлений на основе карбида кремния.

Микроэлектронные датчики физических величин на основе МЭМС-технологий, (Компоненты и технологии №1'2010)

В статье приводятся примеры реализации разработанных в ОАО «НИИФИ» конструктивно-технологических решений (КтР) объемных кремниевых микроэлектромеханических структур (МЭМС). МЭМС необходимы при создании широкой номенклатуры микроэлектронных датчиков физических величин для ракетно-космической техники и общепромышленного применения.

Полупроводниковые чувствительные элементы датчиков давления на основе наноструктурированного поликристаллического кремния, (Компоненты и технологии №9'2009)

В новых разработках интегральных чувствительных элементов (ЧЭ) датчиков физических величин в целях обеспечения улучшенных эксплуатационных и метрологических характеристик применяются структуры «кремний-на-диэлектрике» (КНД): в данном случае тензорезистивная мостовая измерительная схема, а также другие элементы, входящие в состав ЧЭ датчиков, (терморезистор(ы), транзистор(ы) и др.) изолированы от подложки изоляционным слоем, в качестве которого чаще всего выступает термически выращенная двуокись кремния (SiO2)

Полупроводниковые тензорезистивные датчики давления на основе КНД-структуры, (Компоненты и технологии №5'2009)

Представлены конструкции некоторых датчиков давления, а также их полупроводниковых чувствительных элементов, выполненных на основе структуры кремний-на-диэлектрике.

Конструкция и некоторые результаты исследований магнитодиодов при воздействии температур широкого диапазона, (Компоненты и технологии №1'2009)

В статье рассмотрены конструкция, технология изготовления и некоторые результаты исследований чувствительного элемента датчиковой аппаратуры, в качестве которого использован магнитодиод.

Результаты исследования высокотемпературных полупроводниковых чувствительных элементов датчиков давления на основе структуры «кремний-на-диэлектрике», (Компоненты и технологии №11'2008)

Рассмотрены конструкция и результаты исследований высокотемпературных полупроводниковых чувствительных элементов датчиков давления.