В настоящее время наблюдается активное развитие направления СВЧ-транзисторов и монолитных интегральных схем на широкозонной гетеросистеме AlGaN/GaN. Благодаря большой ширине запрещенной зоны элементы могут работать при высоких температурах и рабочем напряжении стока выше 50 В. GaN-транзисторы обеспечивают более широкую полосу рабочих частот и высокий КПД стока по сравнению с GaAs-транзисторами. В статье рассматриваются мощные GaN-транзисторы, которые разрабатывает и производит компания United Monolithic Semiconductors.
Статьи последних номеров доступны только в печатном варианте. Вы можете приобрести свежие номера журнала «Компоненты и технологии» в свободной продаже или заказать в редакции. Извините за доставленные неудобства.
Если Вы заметили какие-либо неточности в статье (отсутствующие рисунки, таблицы, недостоверную информацию и т.п.), просьба сообщить нам об этом. Пожалуйста укажите ссылку на страницу и описание проблемы.