2013
№2
Обзор GaN-транзисторов компании United Monolithic Semiconductors
В настоящее время наблюдается активное развитие направления СВЧ-транзисторов и монолитных интегральных схем на широкозонной гетеросистеме AlGaN/GaN. Благодаря большой ширине запрещенной зоны элементы могут работать при высоких температурах и рабочем напряжении стока выше 50 В. GaN-транзисторы обеспечивают более широкую полосу рабочих частот и высокий КПД стока по сравнению с GaAs-транзисторами. В статье рассматриваются мощные GaN-транзисторы, которые разрабатывает и производит компания United Monolithic Semiconductors.
Статьи последних номеров доступны только в печатном варианте. Вы можете приобрести свежие номера журнала «Компоненты и технологии» в свободной продаже или заказать в редакции. Извините за доставленные неудобства.
Другие статьи по данной теме:
- Монолитные СВЧ-микросхемы аттенюаторов и усилителей компании Hittite Microwave
- СВЧ-аксессуары фирмы Agilent Technologies
- Методика восстановления трехпортовой бесструктурной модели полевого транзистора с затвором Шоттки
- Тонкопленочные керамические фильтры производства Dielectric Laboratories
- Новые транзисторы XPT IGBT от компании IXYS
- IGBT-транзисторы для автомобильных инверторов
- Сделано в IBM Labs: самый быстрый в мире графеновый транзистор
- Универсальные широкополосные усилители серии WBA производства ООО «Деловой Прогресс»