2013
№2
Обзор GaN-транзисторов компании United Monolithic Semiconductors
В настоящее время наблюдается активное развитие направления СВЧ-транзисторов и монолитных интегральных схем на широкозонной гетеросистеме AlGaN/GaN. Благодаря большой ширине запрещенной зоны элементы могут работать при высоких температурах и рабочем напряжении стока выше 50 В. GaN-транзисторы обеспечивают более широкую полосу рабочих частот и высокий КПД стока по сравнению с GaAs-транзисторами. В статье рассматриваются мощные GaN-транзисторы, которые разрабатывает и производит компания United Monolithic Semiconductors.
Статьи последних номеров доступны только в печатном варианте. Вы можете приобрести свежие номера журнала «Компоненты и технологии» в свободной продаже или заказать в редакции. Извините за доставленные неудобства.
Другие статьи по данной теме:
- Мощные полосковые СВЧ-резисторы Р1-17
- Технология iPowIR для DC-DC конвертеров нового поколения
- Эволюция технологии радарных систем S-диапазона: уменьшение общей стоимости за счет увеличения степени интеграции. Пример Integra Technologies
- GaN-транзистор Integra Technologies с выходной мощностью 1 кВт для радарных применений S‑диапазона
- Infineon расширяет линейку силовых МОП-транзисторов OptiMO
- Создание высокоэффективных СВЧ усилителей Ka и Х диапазонов
- Дозирование припоя при автоматизированном монтаже кристаллов полупроводниковых приборов
- TVS-диоды — полупроводниковые приборы для ограничения опасных перенапряжений в электронных цепях