2013
№2
Обзор GaN-транзисторов компании United Monolithic Semiconductors
В настоящее время наблюдается активное развитие направления СВЧ-транзисторов и монолитных интегральных схем на широкозонной гетеросистеме AlGaN/GaN. Благодаря большой ширине запрещенной зоны элементы могут работать при высоких температурах и рабочем напряжении стока выше 50 В. GaN-транзисторы обеспечивают более широкую полосу рабочих частот и высокий КПД стока по сравнению с GaAs-транзисторами. В статье рассматриваются мощные GaN-транзисторы, которые разрабатывает и производит компания United Monolithic Semiconductors.
Статьи последних номеров доступны только в печатном варианте. Вы можете приобрести свежие номера журнала «Компоненты и технологии» в свободной продаже или заказать в редакции. Извините за доставленные неудобства.
Другие статьи по данной теме:
- «ЭкспоЭлектроника 2014»: олимпийские достижения
- Радиационно-стойкая статическая оперативная память от BAE Systems. Часть 2
- Новые транзисторы XPT IGBT от компании IXYS
- Семинар «Проектирование и технология производства микроэлектронных модулей СВЧ»
- Оригинальные конструктивные решения фазостабильных кабелей СВЧ-диапазона
- Модули ВЧ усилителей мощности
- Создание высокоэффективных СВЧ усилителей Ka и Х диапазонов
- Новые силовые ВЧ модули для применения в радарной технике L и S диапазонов в концепции plug-and-play