Сильные и надежные: промышленные IGBT-модули от International Rectifier
В далеком 1959 году компания International Rectifier начала выпуск полупроводниковых компонентов и с тех пор стала одним из лидеров в области создания силовых полупроводников. На сегодня International Rectifier лидирует в сегменте производства силовых MOSFET, и, несмотря на огромное количество конкурентов, ее доля превышает 10% рынка. Усилия IR, направленные на развитие технологии IGBT, привели к тому, что компания вышла на второе место в этом сегменте.
IR производит целый спектр электронных компонентов для силовой техники, основными группами из которых являются:
- различные MOSFET, в том числе инновационные транзисторы DirectFET в корпусах с двухсторонним теплоотводом;
- силовые IGBT на напряжения от 330 до 1400 В с различными уровнями быстродействия (standart, fast, ultra-fast, warp, warp‑2);
- микросхемы драйверов IGBT и MOSFET;
- транзисторы с функциями защиты и измерения тока (интеллектуальные ключи);
- интеллектуальные силовые модули, интегрирующие силовые ключи и драйверы с цепями защиты;
- понижающие синхронные DC/DC-преобразователи с интегрированными силовыми ключами;
- твердотельные реле и т. д.
International Rectifier постоянно отслеживает интересы рынка и регулярно предлагает потребителям новые решения и продукты. Совсем недавно компания анонсировала новое направление своей деятельности — производство IGBT-модулей.
Эти устройства достаточно давно выпускаются другими компаниями, и в настоящее время лидируют в данном направлении Mitsubishi, Infineon, Semikron и Fuji. Попытка освоения столь насыщенного сегмента может показаться неоправданной, однако International Rectifier имеет целый ряд преимуществ, позволяющих «получить свой кусок пирога» на рынке мощных IGBT-модулей.
Во‑первых, это наличие собственных современных технологий изготовления IGBT-кристаллов, в том числе новых кристаллов поколения Gen8.
Во‑вторых, IR не является новичком в создании силовых модулей. В 2003 году компания вывела на рынок интеллектуальные силовые модули (IPM), которые представляют собой законченную систему в одном корпусе (System-in-Package, SIP), состоящую из силового IGBT-инвертора и драйвера силовых ключей с системами мониторинга и защиты.
Таким образом, в ближайшем будущем новые IGBT-модули от IR могут занять лидирующие позиции. Их преимущества основаны на достоинствах IGBT-технологий IR. Ну а теперь рассмотрим эти технологии более подробно.
Технологии IGBT компании International Rectifier
В настоящее время IR производит IGBT по технологиям нескольких поколений. Соотношение частотных характеристик и рабочих напряжений каждого из поколений представлено на рис. 1.
Поясним ключевые особенности каждой технологии:
- Gen4 и Gen5 — планарные IGBT, разработанные достаточно давно, но не утратившие своей актуальности и сегодня. Ряд свойств этих транзисторов продолжает оставаться востребованным в современной электронике. Например, только представители поколений Gen4 и Gen5 обладают рабочей частотой до 150 кГц (WARP IGBT), что позволяет эффективно использовать их как в низкочастотных системах приводов электродвигателей, так и в высокочастотных источниках бесперебойного питания.
- Gen6 — поколение Trench IGBT, предназначенное для работы на средних частотах (от 1 до 30 кГц) с напряжениями до 600 В. Область применения этих IGBT — системы электропривода и преобразователи переменного напряжения.
- Gen7 — транзисторы, выполненные по технологии Field Stop Trench и обладающие отличными статическими и динамическими характеристиками. Данные IGBT предназначены для работы в области средних частот (от 1 до 30 кГц) с напряжениями до 1200 В. Они находят применение в источниках бесперебойного питания, силовых инверторах, преобразователях альтернативной (возобновляемой) энергии, сварочных аппаратах.
- Новые Trench IGBT поколения Gen8 анонсированы совсем недавно. Их целевое назначение — низкочастотные приложения с напряжениями до 1200 В, примером которых могут служить мощные инверторы электродвигателей. Особо следует сказать о преимуществах IGBT поколения Gen8: если сравнивать их с устройствами остальных поколений и с лучшими образцами других фирм-производителей, можно отметить такие достоинства (табл. 1):
- малое напряжение насыщения Uкэ(вкл.);
- низкое напряжение открывания Uзэ(откр.);
- высокие значения пикового тока, который может втрое превышать номинальный рабочий ток.
Тип IGBT |
Uкэ(вкл.), В |
Uзэ(откр.), В |
Iк max |
Технология |
---|---|---|---|---|
IR Gen 8 |
1,70 |
5–6,5 |
3×Iк ном. |
Field Stop Trench |
Сравниваемый IGBT A |
1,85 |
5–6,5 |
3×Iк ном. |
|
Сравниваемый IGBT B |
1,95 |
6–7 |
2×Iк ном. |
|
Сравниваемый IGBT C |
1,80 |
5–7 |
2×Iк ном. |
|
Сравниваемый IGBT D |
1,80 |
6,4 (тип) |
2×Iк ном. |
SPT Planar |
Уменьшение напряжения открывания Uзэ(откр.) в Gen8 приводит к увеличению плотности тока при тех же значениях напряжения коллектор-эмиттер (рис. 2).
Как уже говорилось, IGBT Gen8 созданы для низкочастотных приложений (до 8 кГц). На низких частотах основной вклад в общую мощность потерь вносят потери проводимости, которые пропорциональны напряжению насыщения. Уменьшение напряжения насыщения приводит к значительному сокращению потерь мощности (рис. 3) и рабочей температуры транзистора. Следует отметить, что IGBT Gen8 имеют и низкую энергию переключения, а потому динамические потери этих устройств достаточно малы.
Благодаря наличию различных технологий производства IGBT-кристаллов сегодня компания IR создает силовые модули с разнообразными электрическими характеристиками, что позволяет выбрать оптимальное решение для каждой конкретной задачи.
Особенности IGBT-модулей компании International Rectifier
В настоящее время номенклатура IGBT-модулей от IR включает более 70 представителей. Обобщая их технические характеристики, можно вывести несколько основных принципов, присущих модулям IR:
- устройства выполнены на IGBT-кристаллах поколений Gen5 и Gen7, анонсированы IGBT-модули на кристаллах поколения Gen8;
- по быстродействию делятся на несколько групп: standart (до 1 кГц), fast (от 1 до 8 кГц), ultra-fast (от 8 до 30 кГц);
- рабочие напряжения составляют 600 или 1200 В;
- выпускаются в шести типах корпусов промышленного стандарта;
- номинальные токи в пределах от 10 до 450 А;
- имеется широкий спектр топологии модулей.
Все эти характеристики кодируются в названии модуля (рис. 4).
Корпусные исполнения IGBT-модулей IR не только соответствуют промышленным стандартам (табл. 2), но и повыводно совместимы с аналогичными продуктами компаний данного сектора, что позволяет в существующих схемах устанавливать эти силовые модули взамен устройств других производителей.
Общепринятое обозначение |
Обозначение IR |
---|---|
34mm |
POWIR 34 |
62mm |
POWIR 62 |
EconoPack 2 |
POWIR ECO 2 |
EconoPack 3 |
POWIR ECO 3 |
EconoPack Dual 3 |
POWIR ECO 3+ |
EasyPack 1B, EasyPIM 1B |
EZIRPACK 1 |
Модули строятся по различным топологиям (рис. 5): одиночные мощные IGBT (маркировка в названии — SD), чоппер верхнего плеча (CH), чоппер нижнего плеча (CL), полумост (HF), Н‑мост (HH), 3‑фазный инвертор (FF), 3‑фазный инвертор с входным 3‑фазным диодным выпрямителем и чопперным IGBT нижнего плеча (PM).
Номенклатура IGBT-модулей от International Rectifier
IGBT-модули в корпусе POWIR 34 выпускаются для рабочих напряжений 600 и 1200 В и рабочих частот до 30 кГц (табл. 3). Главное отличие этой группы заключается в наименьшем среди модулей IR напряжении насыщения — от 1,7 В, максимальный рабочий ток составляет 200 А.
Наименование |
IGBT |
Диод |
Серия |
|||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Iк, |
Uкэ (нас.), |
Eпер., |
Rth кристалл-корпус, °С/Вт |
Uпрям., |
Eпер., |
Rth кристалл-корпус, °С/Вт |
||
600 В |
||||||||
IRG5K50HF06A |
50 |
1,8 |
1,43 |
0,51 |
1,4 |
0,25 |
1,45 |
Standard |
IRG5K75HF06A |
75 |
1,8 |
1,42 |
0,38 |
1,4 |
0,38 |
1,05 |
|
IRG5KI00HF06A |
100 |
1,8 |
3,7 |
0,31 |
1,5 |
0,14 |
1,05 |
|
IRG5KI50HF06A |
150 |
1,8 |
7,3 |
0,19 |
1,4 |
0,26 |
0,69 |
|
IRG5K200HF06A |
200 |
1,8 |
9,5 |
0,155 |
1,5 |
0,34 |
0,52 |
|
IRG5W50HF06A |
50 |
2,5 |
0,33 |
0,48 |
1,5 |
0,2 |
1,45 |
Ultra-Fast |
IRG5U75HF06A |
75 |
2,5 |
1,51 |
0,38 |
1,4 |
0,51 |
1,05 |
|
IRG5U100HF06A |
100 |
2,5 |
2,45 |
0,31 |
1,5 |
0,5 |
1,05 |
|
IRG5U150HF06A |
150 |
2,5 |
3,01 |
0,19 |
1,4 |
0,95 |
0,52 |
|
IRG5U200HF06A |
200 |
2,5 |
4,86 |
0,155 |
1,5 |
0,53 |
1 |
|
1200 В |
||||||||
IRG5K35HF12A |
35 |
2,3 |
4,36 |
0,44 |
1,8 |
0,9 |
0,81 |
Standard |
IRG5K50HF12A |
50 |
2,3 |
7,06 |
0,32 |
2 |
1,7 |
0,87 |
|
IRG5K75HF12A |
75 |
2,30 |
8,9 |
0,24 |
2,2 |
1,6 |
0,56 |
|
IRG5K100HF12A |
100 |
2,30 |
15,1 |
0,2 |
2 |
2,3 |
0,41 |
|
IRG7T50HF12A |
50 |
1,90 |
5,97 |
0,44 |
2 |
1,5 |
0,87 |
Fast |
IRG7T75HF12A |
75 |
1,90 |
8,8 |
0,33 |
2,2 |
1,5 |
0,56 |
|
IRG7T100HF12A |
100 |
1,90 |
14,6 |
0,26 |
2,2 |
1,5 |
0,41 |
|
IRG5U50HF12A |
50 |
3,20 |
4,6 |
0,32 |
2 |
1,02 |
0,87 |
Ultra-Fast |
IRG5U75HFI2A |
75 |
3,20 |
7,6 |
0,23 |
2,2 |
1,2 |
0,56 |
|
IRG5U100HF12A |
100 |
3,20 |
11,4 |
0,2 |
2,2 |
2,4 |
0,41 |
|
IRG7U50HF12A |
50 |
1,70 |
6,6 |
0,48 |
2 |
1 |
0,87 |
|
IRG7U75HF12A |
75 |
1,70 |
12,3 |
0,33 |
2,2 |
1,3 |
0,56 |
|
IRG7U100HF12A |
100 |
1,70 |
19,3 |
0,26 |
2,2 |
0,8 |
0,41 |
* Характеристики указаны для температуры кристалла 25 °С.
Ток коллектора указан для температуры корпуса 80 °С.
Самыми мощными и способными коммутировать токи до 400 А (табл. 4) считаются IGBT-модули в корпусе POWIR 62. Их тепловое сопротивление имеет минимальное значение. Топологии ограничены одиночными IGBT, полумостовыми и чопперными схемами.
Наименование |
IGBT |
Диод |
Серия |
|||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Iк, |
Uкэ (нас.), |
Eпер., |
Rth кристалл-корпус, °С/Вт |
Uпрям., |
Eпер., |
Rth кристалл-корпус, °С/Вт |
||
600 В |
||||||||
IRG5K200HF06B |
200 |
1,8 |
9,5 |
0,157 |
1,4 |
0,4 |
0,383 |
Standard |
IRG5K300HF06B |
300 |
1,8 |
12,3 |
0,104 |
1,4 |
0,26 |
0,348 |
|
IRG5K400HF06B |
400 |
1,8 |
19 |
0,077 |
1,4 |
0,26 |
0,348 |
|
IRG5K400CL06B |
400 |
1,8 |
19 |
0,077 |
1,4 |
0,26 |
0,348 |
|
1200 В |
||||||||
IRG5K100HF12B |
100 |
2,3 |
9,4 |
0,163 |
2 |
2,4 |
0,409 |
Standard |
IRG5K150HF12B |
150 |
2,3 |
19,1 |
0,118 |
2 |
3,7 |
0,28 |
|
IRG5K200HF12B |
200 |
2,3 |
36,9 |
0,1 |
2 |
3,8 |
0,204 |
|
IRG7T100HF12B |
100 |
1,9 |
15 |
0,22 |
2 |
1,7 |
0,409 |
Fast |
IRG7T150HF12B |
150 |
1,9 |
16,6 |
0,165 |
2,2 |
3 |
0,28 |
|
IRG7T200HF12B |
200 |
1,9 |
37,3 |
0,141 |
2 |
3,7 |
0,204 |
|
IRG7T300HF12B |
300 |
1,9 |
41,7 |
0,099 |
2,2 |
7,6 |
0,136 |
|
IRG5U100HF12B |
100 |
3,3 |
10 |
0,16 |
2 |
2,2 |
0,41 |
Ultra-Fast |
IRG5U150HF12B |
150 |
3,3 |
14,1 |
0,114 |
2,2 |
3,6 |
0,28 |
|
IRG5U200HF12B |
200 |
3,3 |
19,1 |
0,1 |
2,2 |
6 |
0,204 |
|
IRG5U300HF12B |
300 |
3,3 |
37,3 |
0,066 |
2,2 |
9,8 |
0,136 |
|
IRG7U100HF12B |
100 |
1,7 |
17,1 |
0,26 |
2,2 |
1,5 |
0,41 |
|
IRG7U150HF12B |
150 |
1,7 |
22,4 |
0,165 |
2,2 |
2,6 |
0,282 |
|
IRG7U200HF12B |
200 |
1,7 |
34,2 |
0,132 |
2 |
3,2 |
0,204 |
|
IRG7T150CH12B |
150 |
1,9 |
16,6 |
0,165 |
2,2 |
3 |
0,28 |
Fast |
IRG7T200CH12B |
200 |
1,9 |
37,3 |
0,141 |
2 |
3,7 |
0,204 |
|
IRG7T300CH12B |
300 |
1,9 |
41,7 |
0,099 |
2,2 |
7,6 |
0,136 |
|
IRG7T150CL12B |
150 |
1,9 |
16,6 |
0,165 |
2,2 |
3 |
0,28 |
|
IRG7T200CL12B |
200 |
1,9 |
37,3 |
0,141 |
2 |
3,7 |
0,204 |
|
IRG7T300CL12B |
300 |
1,9 |
41,7 |
0,099 |
2,2 |
7,6 |
0,136 |
|
IRG7T300SD12B |
300 |
1,9 |
41,7 |
0,099 |
2,2 |
7,6 |
0,136 |
Fast |
IRG7T400SD12B |
400 |
1,9 |
45,7 |
0,059 |
2,2 |
3,61 |
0,1 |
|
IRG5U200SD12B |
200 |
3,3 |
19,1 |
0,1 |
2,2 |
6 |
0,204 |
Ultra-Fast |
IRG5U300SD12B |
300 |
3,30 |
37,3 |
0,066 |
2,2 |
9,8 |
0,136 |
|
IRG5U400SD12B |
400 |
3,30 |
38,4 |
0,05 |
2 |
7,2 |
0,102 |
* Характеристики указаны для температуры кристалла 25 °С.
Ток коллектора указан для температуры корпуса 80 °С.
Для приложений малой мощности предназначены IGBT-модули в корпусе POWIR ECO 2, с токами до 100 А (табл. 5). Они имеют мостовую или 3‑фазную топологию и идеально подходят для построения электроприводов средней мощности.
Наименование |
IGBT |
Диод |
Серия |
|||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Iк, |
Uкэ (нас.), |
Eпер., |
Rth кристалл-корпус, °С/Вт |
Uпрям., |
Eпер., |
Rth кристалл-корпус, °С/Вт |
||
600 В |
||||||||
IRG5K50FF06E |
50 |
1,8 |
1,4 |
0,515 |
1,4 |
0,25 |
1,41 |
Standard |
IRG5K75FF06E |
75 |
1,8 |
1,4 |
0,38 |
1,4 |
0,38 |
1,06 |
|
IRG5K100FF06E |
100 |
1,8 |
3,7 |
0,31 |
1,5 |
0,14 |
1,06 |
|
IRG5K75HH06E |
75 |
1,8 |
1,4 |
0,38 |
1,4 |
0,38 |
1,06 |
|
IRG5K100HH06E |
100 |
1,8 |
3,7 |
0,31 |
1,5 |
0,14 |
1,06 |
|
IRG5K30PM06E |
30 |
1,8 |
0,5 |
0,76 |
1,4 |
0,1 |
2 |
|
IRG5K50PM06E |
50 |
1,8 |
1,4 |
0,51 |
1,4 |
0,25 |
1,45 |
|
IRG5U75HH06E |
75 |
2,5 |
1,5 |
0,38 |
1,4 |
0,5 |
1,06 |
Ultra-Fast |
IRG5U100HH06E |
100 |
2,5 |
2,5 |
0,31 |
1,5 |
0,5 |
1,06 |
|
1200 В |
||||||||
IRG7T50FF12E |
50 |
1,9 |
6 |
0,44 |
2 |
1,5 |
0,87 |
Fast |
IRG7T10PM12E |
10 |
1,9 |
1,9 |
1,129 |
2 |
0,6 |
1,982 |
|
IRG7T15PM12E |
15 |
1,9 |
2,4 |
0,801 |
2 |
0,3 |
1,42 |
|
IRG7T25PM12E |
25 |
1,9 |
3,1 |
0,656 |
2,2 |
0,32 |
1,42 |
|
IRG7T40PM12E |
40 |
1,9 |
5,4 |
0,442 |
2 |
0,84 |
0,77 |
|
IRG5U50HH12E |
50 |
3,3 |
4,6 |
0,32 |
2,2 |
1,02 |
0,87 |
Ultra-Fast |
IRG5U75HH12E |
75 |
3,3 |
7,6 |
0,23 |
2,2 |
1,2 |
0,56 |
* Характеристики указаны для температуры кристалла 25 °С.
Ток коллектора указан для температуры корпуса 80 °С.
Выполненные в корпусе POWIR ECO 3 и POWIR ECO 3+, IGBT-модули обладают большей мощностью по сравнению с модулями POWIR ECO 2 и также подходят для построения электроприводов (табл. 6, 7).
Наименование |
IGBT |
Диод |
Серия |
|||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Iк, |
Uкэ (нас.), |
Eпер., |
Rth кристалл-корпус, °С/Вт |
Uпрям., |
Eпер., |
Rth кристалл-корпус, °С/Вт |
||
600 В |
||||||||
IRG5K75PM06F |
75 |
1,8 |
1,42 |
0,38 |
1,4 |
0,38 |
1,06 |
Standard |
IRG5K100PM06F |
100 |
1,8 |
3,7 |
0,31 |
1,5 |
0,14 |
1,06 |
|
IRG5K100FF06F |
100 |
1,8 |
3,7 |
0,31 |
1,5 |
0,14 |
1,05 |
|
1200 В |
||||||||
IRG7T50FF12F |
50 |
1,9 |
6 |
0,44 |
2 |
1,5 |
0,87 |
Ultra-Fast |
IRG7T75FF12F |
75 |
1,9 |
8,8 |
0,33 |
2,2 |
1,5 |
0,56 |
|
IRG7T100FF12F |
100 |
1,9 |
14,6 |
0,26 |
2,2 |
1,7 |
0,41 |
|
IRG7T150FF12F |
150 |
1,9 |
22,5 |
0,19 |
2 |
3 |
0,35 |
* Характеристики указаны для температуры кристалла 25 °С.
Ток коллектора указан для температуры корпуса 80 °С.
Наименование |
IGBT |
Диод |
Серия |
|||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Iк, |
Uкэ (нас.), |
Eпер., |
Rth кристалл-корпус, °С/Вт |
Uпрям., |
Eпер., |
Rth кристалл-корпус, °С/Вт |
||
1200 В |
||||||||
IRG7T150HF12J |
150 |
1,9 |
171 |
0,147 |
2,2 |
2 |
0,29 |
Fast |
IRG7T225HF12J |
225 |
1,9 |
25,9 |
0,11 |
2,2 |
5,2 |
0,188 |
|
IRG7T300HF12J |
300 |
1,9 |
41,7 |
0,098 |
2,2 |
7,6 |
0,136 |
|
IRG7T450HF12J |
450 |
1,9 |
101,4 |
0,066 |
2,2 |
5,2 |
0,117 |
* Характеристики указаны для температуры кристалла 25 °С.
Ток коллектора указан для температуры корпуса 80 °С.
Самые скромные показатели коммутируемых токов у IGBT-модулей в корпусе EZIRPACK 1. Максимальный ток для них составляет 30 А (табл. 8).
Наименование |
IGBT |
Диод |
Серия |
|||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Iк, |
Uкэ (нас.), |
Eпер., мДж |
Rth кристалл-корпус, °С/Вт |
Uпрям., В |
Eпер., мДж |
Rth кристалл-корпус, °С/Вт |
||
600 В |
||||||||
IRG5K15FF06Z |
15 |
1,76 |
0,74 |
0,6 |
1,4 |
0,06 |
1,56 |
Standard |
IRG5K10PM06Z |
10 |
1,8 |
0,34 |
1,14 |
1,4 |
0,1 |
2,31 |
|
IRG5K15PM06Z |
15 |
1,76 |
0,74 |
0,6 |
1,4 |
0,1 |
1,56 |
|
IRG5K30PM06Z |
30 |
1,8 |
0,53 |
0,63 |
1,4 |
0,12 |
1,8 |
|
1200 В |
||||||||
IRG7T10PM12Z |
10 |
1,3 |
1,86 |
1,02 |
2 |
0,6 |
2,19 |
Fast |
IRG7T15FF12Z |
15 |
1,9 |
2,37 |
0,73 |
2 |
0,37 |
1,28 |
|
IRG7T15PM12Z |
15 |
1,9 |
2,37 |
0,73 |
2 |
0,37 |
1,28 |
* Характеристики указаны для температуры кристалла 25 °С.
Ток коллектора указан для температуры корпуса 80 °С.
Как было сказано в начале статьи, вслед за IGBT-модулями на базе IGBT поколений Gen5 и Gen7 компания IR объявила о скором выпуске серии новейших модулей на IGBT поколения Gen8 (табл. 9). Эти устройства предназначены для приложений с рабочими напряжениями 1200 В и максимальными токами до 900 А! Различное корпусное исполнение и широкий спектр реализованных топологий предоставят разработчикам возможность выбрать оптимальный вариант для решения конкретной задачи.
Наименование |
Корпус |
Iк max |
Примечание |
---|---|---|---|
1200 В |
|||
IRG8T50HF12A |
34 mm |
50 |
полумост |
IRG8T75HF12A |
75 |
||
IRG8T100HF12A |
100 |
||
IRG8T150HF12A |
150 |
||
IRG8T150CH12A |
150 |
чоппер, нижнее плечо |
|
IRG8T150CL12A |
150 |
чоппер, верхнее плечо |
|
IRG8T400SG12B |
62 mm |
400 |
одиночный IGBT высокой мощности |
IRG8T600SG12B |
600 |
||
IRG8T900SG12B |
900 |
||
IRG8T200HF12B |
200 |
полумост |
|
IRG8T300HF12B |
300 |
||
IRG8T300HF12B + NTC |
300 |
полумост со встроенным терморезистором (NTC) |
|
IRG8T450HF12B |
450 |
полумост |
|
IRG8T50FF12E |
EconoPACK 2 |
50 |
3-фазный мост |
IRG8T75FF12E |
75 |
||
IRG8T100FF12E |
100 |
||
IRG8T200FF12F |
EconoPACK 3 |
200 |
|
IRG8T150FF12F |
150 |
||
IRG8T100FF12F |
100 |
||
IRG8T100FF12V |
EconoPACK 4 |
100 |
|
IRG8T150FF12V |
150 |
||
IRG8T200FF12V |
200 |
||
IRG8T200CL12V |
200 |
чоппер, нижнее плечо |
|
IRG8T200CH12V |
200 |
чоппер, верхнее плечо |
|
IRG8T200HF12J |
EconoDUAL 2 |
200 |
полумост |
IRG8T6PM12Z + no brake |
EasyPIM 1B |
6 |
3-фазный мост со входным выпрямителем, без чоппера |
IRG8T10PM12Z |
10 |
3-фазный мост со входным выпрямителем и чоппером |
|
IRG8T10PM12Z + no brake |
10 |
3-фазный мост со входным выпрямителем, без чоппера |
|
IRG8T15PM12Z |
15 |
3-фазный мост со входным выпрямителем и чоппером |
Заключение
Компания International Rectifier, принадлежащая к числу наиболее известных производителей дискретных IGBT-транзисторов, создала и выпустила на рынок серию силовых IGBT-модулей в корпусах промышленного стандарта. В настоящее время специалистам доступно свыше 70 решений различной топологии и корпусного исполнения, охватывающих диапазон рабочих напряжений до 1200 В и обеспечивающих ток до 450 А. Применение передовых технологий изготовления IGBT-кристаллов и корпусирования обеспечивает модулям IR высокие технические параметры и конкурентные преимущества, а классическая цоколевка корпусов позволяет быстро и безболезненно перейти на модули IR и в существующих изделиях заказчика.
- irf.com
- High Power IGBT Modules Product Selection Guide. International Rectifier, 2014.