Сборка диодная с общим катодом из двух кремниевых эпитаксиально-планарных диодов Шоттки
Назначение
Диоды Шоттки IDSJP1545 имеют оптимальное низкое прямое напряжение и низкий ток утечки. Предназначены для применения в импульсных источниках питания, высокочастотных инверторах и преобразователях постоянного тока, а также для защиты от переполюсовки питания.
Особенности:
- Низкое прямое напряжение.
- Высокая рабочая частота.
- Рабочая температура перехода до +150 °C.
- Охранное кольцо для повышения пробивного напряжения и долгосрочной надежности.
- Оригинальная конструкция на основе интегрированной структуры множества субмикронных диодов Шоттки и p‑n‑переходов.
- Разработаны и сертифицированы на промышленном уровне.
- Высокая устойчивость к лавинному пробою.
- 100%-ный контроль на пластинах устойчивости к лавинному пробою.
Наименование параметра (режим измерения) |
Обозначение |
Значение |
Единица измерения |
---|---|---|---|
Повторяющееся импульсное обратное напряжение диода(синусоидальная полуволна, tи ≤ 10 мс, f ≥ 50 Гц) |
Uобр.и.п. mах |
45 |
В |
Пробивное напряжение диода |
Uпроб. mах |
45 |
В |
Максимально допустимый средний прямой ток одного диода |
Iпр.ср. mах |
15 |
А |
Максимальный импульсный неповторяющийся прямой ток одного диода (синусоидальная полуволна, tи ≤ 10 мс) |
Iи. пр |
150 |
А |
Максимальная температура перехода |
Тпер. mах |
150 |
°С |
Повторяющийся импульсный обратный ток (tи = 2 мкс, частота лимитируется условием непревышения Тпер. mах) |
Iобр. и.п |
5 |
А |
Корпус КТ‑28-2
Кристаллы диодов Шоттки IDSJZ1545 с контактными площадками без кристаллодержателя, без выводов, поставляемые на общей пластине или разделенные и упакованные в специальную тару.
Наименование параметра |
Обозначение |
Не менее |
Типовое |
Не более |
Ед. изм. |
Режим измерения |
---|---|---|---|---|---|---|
Постоянное прямое напряжение (для одного диода сборки)* |
UПР |
– |
– |
0,55 |
В |
IПР = 15 A, Tпер = +25 °C |
– |
– |
0,52 |
IПР = 15 A, Tпер = +125 °C |
|||
– |
– |
0,76 |
IПР = 15 A, Tпер = –60 °C |
|||
Постоянное прямое напряжение (для одного диода сборки)* |
UПР |
– |
– |
0,76 |
В |
IПР = 30 A, Tпер = +25 °C |
Постоянный обратный ток (для одного диода сборки) |
IОБР |
– |
– |
0,12 |
мА |
UОБР = 45 В, Tпер = +25 °C |
– |
– |
80 |
UОБР = 45 В, Tпер = +125 °C |
|||
– |
– |
0,12 |
UОБР = 45 В, Tпер = –60 °C |
|||
Общая емкость диода (для одного диода сборки) |
CД |
– |
800 |
1000 |
пФ |
UОБР = 5 В, f = 1 МГц Tпер = +25 °C |
Примечание. * Импульсный режим, tи ≤ 300 мкс, Q ≥ 50.
Физические характеристики:
- Диаметр пластины: (100 ±0,5) мм.
- Толщина пластины: (280 ±20) мкм.
- Размер кристалла: 2,67×2,67 мм.
- Металлизация:
- планарная сторона (анод) — Al или Al-Ti-Ni-Ag;
- обратная сторона (катод) — Ti-Ni-Ag.
- Ширина скрайберной дорожки: 80 мкм.
- Размер контактной площадки анода: 2,51×2,51 мм.
- Толщина металлизации анода:
- Al: (4 ±0,4) мкм;
- Al-Ti-Ni-Ag: (1,4 ±0,2)-(0,1 ±0,02)—(0,5 ±0,1)-(0,6 ±0,1) мкм.
- Толщина металлизации катода:
- Ti-Ni-Ag: (0,1 ±0,02)-(0,5 ±0,1)-(0,6 ±0,1) мкм.
Центр изделий специального назначения
Контактное лицо: Александр Иванович Титов
тел.: (375-17) 298-97-43,
т/факс: (+375-17) 398-72-03,
E‑mail: ATitov@integral.by
ул. И. П. Казинца, д. 121а, ком. 327, г. Минск, 220108, Республика Беларусь
www.integral.by