ИМС категории качества «ВП» высоковольтного двойного драйвера для управления MOSFET-транзисторами 5325КХ014
Наименование параметра, единица измерения, режим измерения |
Буквенное обозначение параметра |
Норма параметра |
Температура среды, °С |
|
не менее |
не более |
|||
Статические параметры |
||||
Пороговое напряжение при возрастании напряжения питания, В |
UVLO |
1,6 |
2,8 |
+25 ±10 |
1,5 |
3 |
–60…+125 |
||
Входной ток на выводах IN и OD при UCC = 12 В, мкА |
II |
–0,9 |
0,9 |
+25 ±10 |
–1 |
1 |
–60…+125 |
||
Ток потребления при UCC = 12 В, UBST = 12 В, UIN = 0 В, мА |
ICC |
– |
4,5 |
+25 ±10 |
– |
5 |
–60…+125 |
||
Выходное сопротивление на выводе DRVH (DRVL) в состоянии высокого уровня при UCC = 12 В, UBST = 12 В, USW = 0 В, Ом |
ROH_DRVH (ROH_DRVL) |
– |
2,9 |
+25 ±10 |
– |
3,9 |
–60…+125 |
||
Выходное сопротивление на выводе DRVH (DRVL) в состоянии низкого уровня при UCC = 12 В, UBST = 12 В, USW = 0 В, Ом |
ROL_DRVH (ROL_DRVL) |
– |
2 |
+25 ±10 |
– |
2,6 |
–60…+125 |
||
Динамические параметры |
||||
Время нарастания сигнала на выходе DRVH (DRVL) при UCC = 12 В, UBST = 12 В, USW = 0 В, CL = 3 нФ, нс |
tr_DRVH (tr_DRVL) |
– |
50 |
+25 ±10 |
– |
56 |
–60…+125 |
||
Время спада сигнала на выходе DRVH (DRVL) при UCC = 12 В, UBST = 12 В, USW = 0 В, CL = 3 нФ, нс |
tf_DRVH (tf_DRVL) |
– |
40 |
+25 ±10 |
– |
42 |
–60…+125 |
||
Время задержки прерывания при UCC = 12 В, UBST = 12 В, USW = 5 В, CL = 3 нФ, нс |
tdelay |
130 |
– |
+25 ±10 |
110 |
– |
–60…+125 |
||
Время задержки распространения при переключении выхода DRVL от низкого к высокому уровню (от высокого уровня к низкому) при UCC = 12 В, UBST = 12 В, USW = 0 В, CL = 3 нФ, нс |
tPLH_DRVL (tPHL_DRVL) |
– |
48 (60) |
+25 ±10 |
– |
50 (70) |
–60…+125 |
||
Время задержки распространения при переключении выхода DRVH от низкого к высокому уровню при UCC = 12 В, UBST = 12 В, USW = 0 В, CL = 3 нФ, нс |
tPLH_DRVH |
25 |
130 |
+25 ±10 |
20 |
145 |
–60…+125 |
||
Время задержки распространения при переключении выхода DRVH от высокого к низкому уровню при UCC = 12 В, UBST = 12 В, USW = 0 В, CL = 3 нФ, нс |
tPHL_DRVH |
– |
65 |
+25 ±10 |
– |
70 |
–60…+125 |
Микросхема изготавливается в металлокерамическом корпусе типа 4112.8-1.01 и работает при температуре среды –60…+125 °C (табл. 1–3).
Функциональным аналогом микросхемы 5325КХ014 является микросхема ADP3650 компании Analog Devices.
Технические условия: АЕНВ.431160.486 ТУ, АЕНВ.431160.486-01 ТУ.
Микросхема 5325КХ014 (рис. 1, 2) должна быть стойкой к воздействию специальных факторов 7.И, 7.К по ГОСТ РВ 20.39.414.2 с характеристиками 7.И1 — 2Ус; 7.И6 — 2Ус; 7.И7 — 2Ус; 7.К1 — 2К; 7.К4 — 1К, 7.К11 (7.К12) — до уровня 60 МэВ·см2/мг по катастрофическим отказам и тиристорному эффекту.
Планируемый срок начала освоения в серийном производстве микросхемы 5325КХ014 — I квартал 2019 года.
Номер вывода |
Обозначение |
Назначение |
01 |
BST |
Вывод плавающего напряжения питания верхнего драйвера |
02 |
IN |
Вход включения выхода DRVH или DRVL |
03 |
OD |
Вход выключения выходов DRVH и DRVL |
04 |
VCC |
Вывод напряжения питания |
05 |
DRVL |
Выход нижнего драйвера для нижнего MOSFET-транзистора |
06 |
GND |
Общий вывод |
07 |
SW |
Общий плавающий вывод верхнего драйвера |
08 |
DRVH |
Выход верхнего драйвера для верхнего MOSFET-транзистора |
Входы разрешения |
Вход логический |
Выходы |
|
OD |
IN |
DRVL |
DRVH |
L |
X |
L |
L |
H |
L |
H |
L |
H |
H |
L |
H |
Примечание.
H — высокий уровень напряжения;
L — низкий уровень напряжения;
X — любой уровень напряжения (низкий или высокий).
ОАО «ИНТЕГРАЛ», — управляющая компания холдинга «ИНТЕГРАЛ»
г. Минск, Республика Беларусь
Тел. (+375-17) 298-97-43
Факс (+375-17) 398-72-03
E-mail: ATitov@integral.by
www.integral.by