ИМС категории качества «ВП» высоковольтного двойного драйвера для управления MOSFET-транзисторами 5325КХ014

№ 9’2018
PDF версия
Микросхема 5325КХ014 — высоковольтный двойной драйвер, выполненный по схеме «полумост» и предназначенный для управления двумя n-канальными MOSFET-транзисторами в аппаратуре специального назначения. Напряжение питания микросхемы находится в пределах 4,15–13,2 В.
Таблица 1. Электрические параметры микросхем при приемке и поставке

Наименование параметра, единица измерения, режим измерения

Буквенное обозначение параметра

Норма параметра

Температура среды, °С

не менее

не более

Статические параметры

Пороговое напряжение при возрастании напряжения питания, В

UVLO

1,6

2,8

+25 ±10

1,5

3

–60…+125

Входной ток на выводах IN и OD при UCC = 12 В, мкА

II

–0,9

0,9

+25 ±10

–1

1

–60…+125

Ток потребления при UCC = 12 В, UBST = 12 В, UIN = 0 В, мА

ICC

4,5

+25 ±10

5

–60…+125

Выходное сопротивление на выводе DRVH (DRVL) в состоянии высокого уровня при UCC = 12 В, UBST = 12 В, USW = 0 В, Ом

ROH_DRVH (ROH_DRVL)

2,9

+25 ±10

3,9

–60…+125

Выходное сопротивление на выводе DRVH (DRVL) в состоянии низкого уровня при UCC = 12 В, UBST = 12 В, USW  = 0 В, Ом

ROL_DRVH (ROL_DRVL)

2

+25 ±10

2,6

–60…+125

Динамические параметры

Время нарастания сигнала на выходе DRVH (DRVL) при UCC = 12 В, UBST = 12 В, USW = 0 В, CL  = 3 нФ, нс

tr_DRVH (tr_DRVL)

50

+25 ±10

56

–60…+125

Время спада сигнала на выходе DRVH (DRVL) при UCC = 12 В, UBST = 12 В, USW = 0 В, CL  = 3 нФ, нс

tf_DRVH (tf_DRVL)

40

+25 ±10

42

–60…+125

Время задержки прерывания при UCC = 12 В, UBST = 12 В, USW = 5 В, CL  = 3 нФ, нс

tdelay

130

+25 ±10

110

–60…+125

Время задержки распространения при переключении выхода DRVL от низкого к высокому уровню (от высокого уровня к низкому) при UCC = 12 В, UBST = 12 В, USW = 0 В, CL  = 3 нФ, нс

tPLH_DRVL (tPHL_DRVL)

48 (60)

+25 ±10

50 (70)

–60…+125

Время задержки распространения при переключении выхода DRVH от низкого к высокому уровню при UCC = 12 В, UBST = 12 В, USW = 0 В, CL  = 3 нФ, нс

tPLH_DRVH

25

130

+25 ±10

20

145

–60…+125

Время задержки распространения при переключении выхода DRVH от высокого к низкому уровню при UCC = 12 В, UBST = 12 В, USW = 0 В, CL = 3 нФ, нс

tPHL_DRVH

65

+25 ±10

70

–60…+125

Микросхема изготавливается в металлокерамическом корпусе типа 4112.8-1.01 и работает при температуре среды –60…+125 °C (табл. 1–3).

Функциональным аналогом микросхемы 5325КХ014 является микросхема ADP3650 компании Analog Devices.

Технические условия: АЕНВ.431160.486 ТУ, АЕНВ.431160.486-01 ТУ.

Условное графическое обозначение микросхемы

Рис. 1. Условное графическое обозначение микросхемы

Микросхема 5325КХ014 (рис. 1, 2) должна быть стойкой к воздействию специальных факторов 7.И, 7.К по ГОСТ РВ 20.39.414.2 с характеристиками 7.И1 — 2Ус; 7.И6 — 2Ус; 7.И7 — 2Ус; 7.К1 — 2К; 7.К4 — 1К, 7.К11 (7.К12) — до уровня 60 МэВ·см2/мг по катастрофическим отказам и тиристорному эффекту.

Временные диаграммы работы микросхемы

Рис. 2. Временные диаграммы работы микросхемы

Планируемый срок начала освоения в серийном производстве микросхемы 5325КХ014 — I квартал 2019 года.

Таблица 2. Назначение выводов микросхемы

Номер вывода

Обозначение

Назначение

01

BST

Вывод плавающего напряжения питания верхнего драйвера

02

IN

Вход включения выхода DRVH или DRVL

03

OD

Вход выключения выходов DRVH и DRVL

04

VCC

Вывод напряжения питания

05

DRVL

Выход нижнего драйвера для нижнего MOSFET-транзистора

06

GND

Общий вывод

07

SW

Общий плавающий вывод верхнего драйвера

08

DRVH

Выход верхнего драйвера для верхнего MOSFET-транзистора

Таблица 3. Таблица истинности микросхемы

Входы разрешения

Вход логический

Выходы

OD

IN

DRVL

DRVH

L

X

L

L

H

L

H

L

H

H

L

H

Примечание.

H — высокий уровень напряжения;

L — низкий уровень напряжения;

X — любой уровень напряжения (низкий или высокий).

ОАО «ИНТЕГРАЛ», — управляющая компания холдинга «ИНТЕГРАЛ»
г. Минск, Республика Беларусь
Тел. (+375-17) 298-97-43
Факс (+375-17) 398-72-03
E-mail: ATitov@integral.by
www.integral.by

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *