4-Мбит Serial EEPROM-память с самой высокой плотностью от Microchip

Компания Microchip Technology Inc. анонсирует новую память EEPROM семейства 25CSM04.

Плотность новой памяти EEPROM от Microchip является наибольшей среди запоминающих устройств EEPROM и в два раза превышает плотность 2-Мбит памяти, которая до сих пор ограничивала возможности проектирования: разработчики использовали относительно недорогие ИС флэш-памяти NOR для хранения наборов данных во всех энергонезависимых приложениях плотностью выше 2 Мбит. Поскольку показатели EEPROM лучше, чем у флэш-памяти NOR, компания Microchip разработала 4-Мбит EEPROM. К числу преимуществ EEPROM относятся: меньший ток в режиме ожидания (2 вместо 15 мкА); способность осуществлять одно-, многобайтовую и полностраничную запись; сравнительно малое время стирания/перезаписи (5 вместо 300 мс); большее количество циклов стирания/перезаписи (1 млн вместо 100 тыс.).

Память семейства 25CSM04 становится частью широкого ассортимента энергонезависимых запоминающих устройств Microchip, в который входят комплексные системные решения компании на основе 8-, 16- и 32-бит микроконтроллеров и микропроцессоров.

В большое семейство запоминающих устройств Microchip входит последовательная память EEPROM, флэш-память NOR, SRAM и EERAM со всеми стандартными последовательными шинами и со всеми стандартными значениями плотности в диапазоне 128 бит — 64 Мбит.

Компания Microchip, являющаяся более 30 лет технологическим новатором в сегменте последовательной EEPROM, ежегодно поставляет около 1 млрд этих устройств.

4-Мбит последовательная память EEPROM поддерживается комплектом MPLAB Starter Kit для последовательных запоминающих устройств. В составе комплекта предусмотрены плата последовательного интерфейса памяти, стартовый пакет последовательной EEPROM, USB-кабель, CD-диск с интегрированной средой разработки MPLAB X IDE, программная модель Total Endurance и интерфейсные инструменты для последовательной EEPROM.