Ультразвуковой детектор «близости» на микроконтроллере фирмы Holtek

В статье показано применение микроконтроллера как основы схемы измерителя-сигнализатора, который может определять расстояние до объекта и подавать сигнал предупреждения, если это расстояние меньше 35 см.

Силовые полупроводниковые приборы в мощных среднечастотных преобразователях частоты индукционных установок

Одной из главных задач при разработке современных преобразователей частоты является правильный выбор силовых полупроводниковых приборов, который должен быть основан на комплексном анализе их электрических и тепловых режимов. Опыт проектирования и эксплуатации мощных преобразователей частоты показал, что, несмотря на высокие динамические характеристики этих приборов, позволяющие создавать высок...

Силовые полупроводниковые приборы ЗАО «Протон-Импульс»

Данная статья знакомит читателей с особенностями применения и изготовления твердотельных реле, выпускаемых ЗАО «Протон-Импульс».

Экспериментальные исследования коэффициента передачи тока в измерительном канале транзисторов Sense Mosfet

Многие приложения в области маломощного регулируемого электропривода требуют для своей реализации измерения тока в обмотках двигателя для организации контура обратной связи регулятора. Поскольку потенциальная развязка в этом случае обычно не требуется, то одним из вариантов решения задачи может быть использование полевых транзисторов со встроенным датчиком тока (Sense Mosfet). В статье приводя...

Семинар по датчикам давления и уровня BD Sensors RUS

Семинар по датчикам давления и уровня BD Sensors RUS, 29 сентября 2010 г., Москва.

Моделирование МОП-транзисторов. Методологический аспект

Преодоление полупроводниковой технологией 0,25-микронного рубежа предъявило новые требования к системам моделирования ИС. Теперь даже цифровые ИС требуют детального схемотехнического моделирования с применением точных компактных моделей. В статье описаны методологические проблемы построения компактных моделей МОП-транзисторов.

«Ниша» с высоким напряжением. Компоненты Supertex с рабочим напряжением до 450 В

Успешное развитие предприятия, занимающегося разработкой и производством полупроводниковых компонентов, определяется количеством вложенных средств в научно-исследовательские работы (чем больше, тем лучше).

Полупроводниковые приборы на основе карбида кремния — настоящее и будущее силовой электроники

Выдающиеся динамические характеристики, высокая рабочая температура и сверхнизкие потери проводимости полупроводников из карбида кремния выводят развитие элементной базы для силовой электроники на новый этап.

Инфракрасные полупроводниковые приборы Stanley Electric

Японская фирма Stanley Electric — известный производитель электроники для промышленности. Подразделение Stanley Components выпускает широкий ассортимент компонентов — ЖКИ, лампы накаливания и лампы подсветки с холодным катодом, светодиоды видимого и инфракрасного диапазона. Предлагаем вниманию читателей обзор инфракрасных полупроводниковых приборов.

Использование косинусных конденсаторов в схемах низковольтных фильтрокомпенсирующих устройств

Высокая эксплуатационная надежность низковольтных МКК-конденсаторов допускает их эффективное использование в цепях фильтрокомпенсирующих устройств и многофазных схем преобразования.