Новые изделия ОАО «ИНТЕГРАЛ» специального назначения и двойного применения: 1669РА035, 1669РА025, 1669РА015, 5560ИН5У, 5560ИН6У

№ 2’2016
PDF версия
Рассматриваемые в статье микросхемы 1669РА035, 1669РА025, 1669РА015 относятся к оперативно-запоминающим устройствам информационной емкостью 4 Мбит с различной организацией хранения данных.

Так, 1669РА035 имеет организацию 512К×8, 1669РА025 — 256К×16, 1669РА015 — 128К×32 бит. Микросхемы предназначены для работы в системах со стойкостью к специальным внешним воздействующим факторам (СВВФ). По фактору с характеристикой 7.И7 достигнут уровень стойкости 6Ус. Также помимо стандартного набора характеристик спецфакторов определены уровни стойкости для космического пространства.

К особенностям разработок следует отнести то, что все три микросхемы реализованы на одном общем кристалле (проектная норма 0,18 мкм), а выбор конкретного типономинала осуществляется на стадии развар-ки в корпус. Если же говорить о технической специфике, то в изделиях используется встроенный источник напряжения на 1,8 В, а микросхемы обеспечивают работоспособность в двух диапазонах напряжения питания. Необходимый диапазон напряжения питания составляет 5 В ±10%. При выполнении ОКР дополнительно реализовано обеспечение работоспособности в диапазоне напряжений 3,3 В ±10%, что значительно расширяет возможности применения микросхем у потребителей (таблица).

Таблица. Характеристики СОЗУ 4М

Наименования технико-экономических показателей

Единицы измерения

1669РА035

1669РА025

1669РА015

Информационная емкость

бит

4М (512K×8)

4М (256K×16)

4М (128K×32)

Напряжение питания

В

3–5,5

Статический ток потребления

мА

5

Динамический ток потребления

мА

150

250

270

Время выборки адреса

нс

50

Длительность цикла

нс

50

Уровень стойкости к специальным факторам по накопленной дозе

рад

106

Диапазон рабочей температуры

°С

–60…+125

Тип корпуса

 

5134.64-6

Технология

 

КМОП 0,18 мкм

5560ИН5У и 5560ИН6У — устойчивые к СВВФ, быстродействующие микросхемы с напряжением питания 3 В для передачи 21‑разрядного параллельного кода между удаленными объектами с использованием трех последовательных каналов интерфейса LVDS, состоящего из 21‑разрядного параллельно-последовательного преобразователя на передающем конце линии и трехканального последовательно-параллельного преобразователя на приемном конце линии со встроенным блоком ФАПЧ без внешних компонентов. Микросхемы предназначены для применения в аппаратуре специального назначения высокотехнологичных образцов техники, космических аппаратов.

Имеются образцы для проведения опробования.

Функциональные аналоги нашим ИМС:

  • 1669РА035 — ACT-S512K8 (фирма Aeroflex, США);
  • 1669РА025 — CY7C1041D (фирма Cypress, США);
  • 1669РА015 — ACT-S128K32 (фирма Aeroflex, США);
  • 5560ИН5У — SN65LVDS95 (фирма Texas Instruments, США);
  • 5560ИН6У — SN65LVDS96 (фирма Texas Instruments, США).

Центр изделий специального назначения
Контактное лицо: Александр Иванович Титов
тел.: (375-17) 298-97-43,
т/факс: (+375-17) 398-72-03,
E‑mail: ATitov@integral.by
ул. И. П. Казинца, д. 121а, ком. 327, г. Минск
220108, Республика Беларусь
www.integral.by

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *