Радиационно-стойкая микросхема памяти 1657РУ1У

НПЦ «ЭЛВИС» сообщает о начале серийных поставок радиационно-стойких микросхем памяти 1657РУ1У.

Эта микросхема представляет собой статическое асинхронное КМОП ОЗУ (SRAM) емкостью 4 Мбит с организацией 512К×8, стойкое к воздействию специальных факторов и предназначенное для использования в большинстве радиационно-стойких приложений.

Косвенными аналогами 1657РУ1У являются микросхемы UT8R512K8 (Aeroflex), AT60142E (Atmel), HX6408 (Honeywell) и AS5C512K8 (Austin Semiconductor).

С целью обеспечения качественного экстраполирования жизнеспособности устройства в радиационной среде испытания микросхемы 1657РУ1У проведены на моделирующих установках. При испытаниях на воздействие отдельных тяжелых заряженных частиц использовался изохронный циклотрон У-400М (ОИЯИ, г. Дубна Московской области).

Микросхемы облучали стандартным набором ионов: Kr, Xe, Ar и Ne при нормальной температуре корпуса, ионами Xe при температуре 65 °С и впервые в истории отечественных испытаний — ионами Bi при температуре 100 °С.

ОЗУ 1657РУ1У является первой отечественной микросхемой, прошедшей испытания по оценке воздействия на работоспособность изделия вторичного излучения, вызванного нейтронными потоками, что особенно актуально для авиационной электроники.