Подписка на новости

Опрос

Нужны ли комментарии к статьям? Комментировали бы вы?

Реклама

 

2009 22 дек

IGBT-модули с суммарной индуктивностью выводов 15 нГн

Компания SEMIKRON представляет новейшее поколение низкоиндуктивных 1200-В модулей SEMITRANS IGBT, предназначенных для использования в преобразователях мощностью 20 – 300 кВт. Теперь эти модули будут комплектоваться чипами V-IGBT (Fuji), аналогичными по своим характеристикам кристаллам Trench 4. Сверхнизкая индуктивность выводов (15 нГн) обеспечивает снижение уровня переходных перенапряжений, благодаря чему данные силовые ключи могут применяться при повышенном напряжении на DC-шине. Кроме этого новые IGBT отличаются более плавной характеристикой переключения и пониженными динамическими потерями, что позволяет повысить эффективность преобразования.

Новейшее поколение низкоиндуктивных 1200-В модулей SEMITRANS IGBT

В дополнение к уже выпускаемым модулям SEMITRANS с чипами IGBT Trench 4 производства Infineon, семейство SEMITRANS теперь может комплектоваться 1200-В кристаллами V-IGBT от Fuji. Они будут устанавливаться в 3 типоразмерах модулей трех различных конфигураций, предназначенных для использования в 8 различных диапазонах мощности. Диапазон рабочих токов силовых ключей составляет 150 A–600 A. Суммарная индуктивность выводов SEMITRANS 3 и 4 снижена до 15 нГн. При типовой скорости переключения IGBT, равной 5000 A/мкс, амплитуда коммутационных перенапряжений составляет всего 75 В. Для силовых ключей аналогичного класса, доступных на рынке, эта величина лежит в пределах 90–125 В. Новые модули будут выпускаться в базовых конфигурациях, необходимых для проектирования промышленных преобразователей: одиночные ключи, полумосты и чопперы.

Напряжение изоляции компонентов нового семейства SEMITRANS составляет 4000 В, они комплектуются 4 типами кристаллов IGBT: IGBT2, IGBT2 fast, IGBT3, IGBT4. Модули SEMITRANS имеют 3 класса рабочего напряжения: 600В, 1200 В и 1700 В, они производятся в 3 типоразмерах корпусов стандартов 34 мм и 62 мм. Выпускается также 6-ключевой SEMITRANS 6 по схеме 3-фазного инвертора и SEMITRANS 5 для построения 3-уровневого инвертора с интегрированным токовым шунтом. В разработке находится SEMITRANS 9 с напряжением изоляции 9 кВ (для железнодорожных применений).