Подписка на новости

Опрос

Нужны ли комментарии к статьям? Комментировали бы вы?

Реклама

 

2012 19 дек

50-В GaN HEMT-транзисторы от CREE

Компания CREE представляет линейку новых GaN HEMT-устройств c рабочим напряжением в 50 В, позволяющих значительно снизить расход энергии на питание сетей сотовой связи.

50-В GaN HEMT-транзисторы от CREE

По приблизительным оценкам мировая сотовая сеть потребляет более 100 ТВт/ч электричества в год (приблизительно $12 млрд), причем около 50–80% потребляемой энергии приходится на усилители мощности и инфраструктуру питания.

Использование инновационной технологии от CREE в усилителях мощности на базовых радиостанциях дало повышение энергоэффективности более чем на 20% по сравнению с нынешней технологией, работающей с 4G-сигналом на частоте 2,6 ГГц. Возросшая эффективность усилителей мощности может сохранить в сумме 10 ТВт/ч, что сопоставимо с мощностью двух АЭС.

Значительный выигрыш в цене возможен не только благодаря сокращению расхода энергии, но и из-за снижения стоимости самой системы. Высокоэффективный усилитель позволит изготовителям уменьшить затраты на оборудование, так как с его помощью можно упростить систему охлаждения.

Кроме того, высоковольтные GaN-компоненты позволят снизить стоимость преобразователей переменного и постоянного тока. В целом цена на материалы может быть сокращена приблизительно на 10%, что значительно повлияет на стоимость всей системы.

HEMT-транзисторы фирмы CREE с рабочим напряжением 50 В на основе нитрида галлия с выходной мощностью в 100 и 200 Вт выпускаются в двух частотных диапазонах: 1,8–2,2 и 2,5–2,7 ГГц. Внутренняя структура устройств выполнена с учетом максимальной производительности, что позволяет достичь значительной мгновенной ширины полосы частот. 50-В HEMT-транзисторы на основе нитрида галлия фирмы CREE оптимальны для использования в высокоэффективных усилителях Догерти, где могут быть достигнуты усиления свыше 18 дБ при 2,14 ГГц и 16 дБ при 2,6 ГГц.

ПРОСОФТ