Подписка на новости

Опрос

Нужны ли комментарии к статьям? Комментировали бы вы?

Реклама

 

2011 05 июл

NXP приступает к серийному выпуску продукции на базе GaN-технологии

Компания NXP Semiconductors N.V. продемонстрировала в действии свою продукцию нового поколения на базе нитрид-галлиевой (GaN) технологии. Среди представленных устройств — 50-ваттный широкополосный усилитель CLF1G0530-50 для диапазона частот 500–3000 МГц, 2,1-ГГц усилители Догерти для базовых станций, а также 100-ваттный усилитель CLF1G2435-100 для диапазона частот 2,5–3,5 ГГц. Компания NXP разработала высокочастотную производственную GaN-технологию для компонентов большой мощности в сотрудничестве с компанией United Monolithic Semiconductors и Институтом прикладной физики твердого тела им. Фраунгофера.

NXP приступает к серийному выпуску продукции на базе GaN-технологии

Преимущества:

  • GaN-устройства компании NXP изготавливаются на SiC-подложках для улучшения радиочастотных и тепловых характеристик.
  • Компоненты NXP на базе GaN предназначены для устройств сотовой связи, широкополосных усилителей, систем диапазона ISM, персональных систем подвижной радиосвязи, радаров, авиационного электронного оборудования, систем освещения с РЧ-управлением, медицинских приборов, систем кабельного телевидения, а также цифровых передатчиков для сотовой связи и радиовещания.
  • Благодаря высокой плотности мощности GaN-компоненты смогут найти применение и в таких областях, как оборудование высокой мощности для широкополосного вещания, где до сих пор, как правило, используются твердотельные усилители мощности на основе вакуумных приборов.
  • В настоящее время большинство усилителей мощности для базовых станций имеет ограниченную область применения, тогда как новая производственная GaN-технология компании NXP позволит создать «универсальный передатчик», который можно будет использовать во множестве систем на различных частотах. Это упростит изготовление и логистику передатчиков и предоставит операторам возможность мгновенно переключаться между частотными полосами в соответствии с требованиями к зоне покрытия базовых станций.