Подписка на новости

Опрос

Нужны ли комментарии к статьям? Комментировали бы вы?

Реклама

 

2014 30 июл

Радиационно стойкие MOSFET-транзисторы Microsemi прошли тестирование в университете TAMU

icquest_30_07_14

В техасском университете A&M (TAMU) завершено тестирование двух радиационно стойких MOSFET-транзисторов нового поколения — MRH20N19U3 и MRH15N19U3 компании Microsemi.

Радиационно стойкие компоненты выполнены по технологии I2MOS и обладают устойчивостью к эффекту единичного воздействия ТЗЧ на максимальных рабочих напряжениях. Результаты тестирования показали, что транзисторы способны функционировать во всем диапазоне рабочих уровней напряжения смещения стока (VD bias) в условиях воздействия ТЗЧ с величиной линейной передачи энергии (ЛПЭ), равной 85. MOSFET-транзистор MRH20N19U3 с рабочим напряжением 200 В прошел тестирование на стойкость к эффекту единичного воздействия ионами Au при Vgs=–5, –10 и –15 В. Деградации не наблюдалось до уровня Vgs=–20 В. Специалисты могут использовать полное рабочее напряжение транзистора для расчета максимальных параметров схем, поскольку теперь нет необходимости в специальном уменьшении параметров MRH20N19U3.

На рисунке также приведены параметры транзистора MRH15N19U3, имеющего рабочее напряжение 150 В, с аналогичными результатами тестирования для эффекта единичного воздействия ТЗЧ.

КВЕСТ