Подписка на новости

Опрос

Нужны ли комментарии к статьям? Комментировали бы вы?

Реклама

 

2013 30 июл

Силовые NPT IGBT транзисторы Microsemi с рабочим напряжением 650 В для промышленных применений

icquest_30_07_13

Корпорация Microsemi объявила о начале поставок нового семейства силовых 650-В биполярных транзисторов с изолированным планарным затвором (NPT IGBT) со значениями рабочего тока 45, 70 и 95 A.

Новые биполярные транзисторы могут работать в жестких условиях окружающей среды и предназначены для использования в таких силовых устройствах, как солнечные инверторы, сварочные аппараты и импульсные источники питания. Благодаря меньшему значению потерь по сравнению с ближайшими аналогами (приблизительно на 8%), NPT IGBT транзисторы Microsemi способны повысить КПД конечных решений.

Новые модели обеспечивают частоту коммутации до 150 кГц, но этот уровень может быть увеличен при использовании транзисторов совместно с ключевым элементом диодов Microsemi, выполненных по карбидокремниевой технологии. Все представители нового поколения 650-В NPT IGBT транзисторов Microsemi производятся по усовершенствованной технологии Power MOS 8. Технологический процесс позволяет снизить полное значение коммутационных потерь и обеспечивает возможность работы элементов при значительно более высокой частоте коммутации по сравнению с конкурирующими решениями.

Биполярные транзисторы с изолированным планарным затвором можно включить параллельно (они обладают положительным температурным коэффициентом Vcesat) для повышения надежности силовых устройств. Также нормировано время устойчивости к короткому замыканию, что обеспечивает надежную работу устройств в тяжелых промышленных условиях. Новые NPT IGBT транзисторы доступны в корпусах различных форм-факторов, включая TO-247, T-MAX и силовые модули.

КВЕСТ