Подписка на новости

Опрос

Нужны ли комментарии к статьям? Комментировали бы вы?

Реклама

 

2013 28 ноя

Карбидокремниевые диоды Шоттки от Microsemi с рабочим напряжением 650 В

icquest_28_11_13

Корпорация Microsemi представила новые карбидокремниевые (SiC) диоды Шоттки, предназначенные для создания авиационного, сварочного и силового оборудования, включая фотогальванические инверторы, с рабочим напряжением 650 В.

Карбидокремниевая технология обладает целым рядом преимуществ по сравнению с кремниевой технологией изготовления полупроводниковых устройств, включая более высокое значение напряженности поля пробоя и более высокую удельную теплопроводность. Эти характеристики позволяют создавать решения, обладающие высокими техническими величинами: нулевое время обратного восстановления, независимость параметров компонента от рабочей температуры, более высокое рабочее напряжение. Благодаря этому достигаются новые значения показателей производительности, эффективности и надежности разработок. SiC-диоды Шоттки оптимально подходят для разработчиков силовой электроники, желающих повысить КПД создаваемых устройств.

Линейка 650-В SiC-диодов Шоттки компании Microsemi включает в себя:

  • APT10SCD65K (10 A, корпус TO 220);
  • APT10SCD65KCT (10 A, корпус TO 220, два диода с общим катодом);
  • APT20SCD65K (20 A, корпус TO 220);
  • APT30SCD65B (30 A, корпус TO 247).

Представленные решения уже применяются в составе силовых модулей компании Microsemi, предназначенных для авиационных разработок, сварочного оборудования, зарядных устройств аккумуляторов и других силовых устройств.

КВЕСТ