отправка...Транзистор MDSGN-750ELMV Microsemi для радиолокационного оборудования диапазона 1030/1090 МГц
Корпорация Microsemi представила MDSGN-750ELMV — новый радиочастотный транзистор с высокой подвижностью электронов для авиационных применений. Он выполнен по нитрид-галлиевой технологии на подложке из карбида кремния (GaN-on-SiC HEMT).
Транзистор MDSGN-750ELMV разработан для создания радиолокационных устройств авиадиспетчерских служб и оборудования предотвращения столкновений самолетов в воздухе. Его целевым назначением являются вторичные радары наблюдения (обзорная РЛС с активным ответом), применяемые в соответствии с международными стандартами для опроса и идентификации самолетов непосредственно вблизи аэропортов и в их 200-мильной зоне. Транзистор позволяет получить 750 Вт пиковой мощности, 17 дБ коэффициента усиления мощности и типичную эффективность стока 70% при работе на частоте 1030 и 1090 МГц, обеспечивая при этом наивысшую мощность среди ассиметричных устройств своего класса в этом диапазоне частот.
Транзистор может работать в режиме S-импульсов посылок стандарта ELM как в опрашивающих устройствах диапазона 1030 МГц наземного базирования, так и в бортовых транспондерах, работающих на частоте 1090 МГц, а также в выходных каскадах наземных РЛС. MDSGN-750ELMV применяется для создания средств предупреждения сближения гражданских воздушных судов «воздух-воздух», в системах предотвращения столкновений и определения «свой-чужой».
Основные характеристики:
- Работа в импульсном режиме ELM:
- посылка из 48 импульсов: 32 мкс (вкл.) / 18 мкс (выкл.);
- период повтора посылок: 24 мс;
- долгосрочный коэффициент заполнения: 6,4%.
- Выходная мощность: 750 Вт.
- Коэффициент усиления мощности: более 17,2 дБ (минимальное значение).
- Высокая эффективность стока: 70%.
- Напряжение смещения стока: +50 В.
- Напряжение пробоя: более 200 В.
- Низкое тепловое сопротивление: 0,24 °С/Вт.
- Температурная стабильность выходной мощности (в диапазоне температур от –40 до +85 °C): менее ±0,7 дБ.