MOSFET-транзисторы компании X-REL Semiconductor для экстремальных температур

Компания X-REL Semiconductor анонсировала новые MOSFET-транзисторы семейства XTR2N для экстремальных рабочих температур: P-канальные транзисторы средней мощности и сигнальные P- и N-канальные транзисторы.

Представленные MOSFET-транзисторы предназначены для создания высоконадежных изделий, действующих при экстремальных температурах, — преобразователей, устройств управления питанием и различных интерфейсов датчиков. Эти компоненты обеспечивают отличные параметры коммутации и линейность характеристик, имеют низкий уровень тока утечки и обладают увеличенным временем функционирования при высоких температурах.

Компоненты XTR2N0325 и XTR2N0350 предназначены для применений с максимальным рабочим напряжением исток-сток 30 В, в то время как транзисторы XTR2N0525 и XTR2N0550 могут выдержать напряжение исток-сток до 50 В. Транзисторы выпускаются в корпусах двух видов.

Семейство сигнальных транзисторов, производящихся X-REL Semiconductor, представлено двумя компонентами:

• XTR2N0307 — 30-В P-канальным MOSFET-транзистором с сопротивлением канала в открытом состоянии 7 Ом при температуре 230 °C и токами стока 350 мА (900 мА пиковое значение).
• XTR2N0807 — N-канальным MOSFET-транзистором с максимальным напряжением исток-сток 80 В; сопротивление отрытого канала составляет 9,1 Ом, а токи стока 200 мА (450 мА пиковое значение).

Как все другие разработки компании X-REL Semiconductor, транзисторы семейства XTR2N надежно работают при окружающей температуре в диапазоне от –60 до +230 °C (5 лет при +230 °C). Кроме того, все устройства компании X-REL Semiconductor могут быть использованы в применениях, функционирующих и при более низких температурах (например, в диапазоне от +100 до +200 °C) и рассчитанных на увеличенной время работы, а также в оборудовании повышенной надежности. Например, ожидаемое время жизни компонентов X-REL Semiconductor, предназначенных для драйвера, работающего при температуре +150 °C, составляет более 35 лет.

КВЕСТ