Транзисторы серии 2731GN от Microsemi для импульсных радаров S-диапазона

Компания Microsemi представила транзисторы 2731GN-220LV и 2731GN-300LV, разработанные для применения в схемах импульсных радаров S-диапазона на частотах 2,7–3,1 ГГц.

Новые транзисторы с высокой подвижностью электронов производятся по технологии «нитрид галлия на подложке из карбида кремния» (GaN-on-SiC HEMT) и выполнены по схеме включения с общим истоком. Использование подложки из SiC вместо традиционного Si значительно улучшает теплоотвод, благодаря чему увеличивается допустимая мощность компонента.

Представленные транзисторы созданы для работы в усилителях класса AB и обеспечивают усиление более 15,3 дБ, уровень импульсной радиочастотной выходной мощности 220/300 Вт для сигнала с шириной импульса 200 мкс и 20%-ным коэффициентом заполнения во всей полосе частот 2700–3100 МГц. Устройства выпускаются в герметичных корпусах форм-фактора 55-QP с применением металлизации золотом и предназначены для пайки эвтектическими сплавами. Основное назначение — применение в схемах импульсных радаров S-диапазона.

Технические характеристики транзисторов 2731GN-220LV / 2731GN-300LV:

• выходная мощность 220/300 Вт;
• максимальная мощность рассеяния при температуре +25 °C — 485/660 Вт;
• максимальное напряжение «исток–сток» — 125 В;
• максимальное напряжение «затвор–исток» — –8…+0 В.
• диапазон температур хранения –55…+125 °C;
• рабочая температура переход —: до +250 °C.

КВЕСТ