Подписка на новости

Опрос

Нужны ли комментарии к статьям? Комментировали бы вы?

Реклама

 

2014 04 мар

Радиационно стойкие MOSFET от Microsemi, выполненные по технологии I2MOS

icquest_04_03_14

Компания Microsemi объявила о начале поставок образцов радиационно стойких MOSFET-транзисторов нового поколения для космических применений.

Новая линейка MOSFET-транзисторов, выполненных по технологии I2MOS, предоставляет разработчикам последние технологические улучшения в области радиационно стойких транзисторов, предназначенных для применения в космическом оборудовании. Предварительное тестирование транзисторов серии I2MOS показало существенные улучшения показателей стойкости к эффекту единичного события и суммарной накопленной дозы по сравнению с существующими технологиями. Транзисторы новой серии оценочно показывают уровень линейной потери энергии при единичных событиях от 85–90 МэВ. MOSFET-транзистор MRH20N22U3 на 200 В, выполненный по технологии I2MOS, прошел тестирование на эффект единичного события ионами золота при полном напряжении Bvdss 200 В и уровне напряжения Vgs –5 и –10 В.

До конца 2014 г. запланирован запуск транзисторов семейства I2MOS в серийное производство. В дальнейшем эти компоненты будут выпускаться в корпусах форм-факторов TO-39 и TO-257.

КВЕСТ