Подписка на новости

Опрос

Нужны ли комментарии к статьям? Комментировали бы вы?

Реклама

 

2012 02 июл

Суперэффективные NPT IGBT транзисторы нового поколения по технологии Power MOS 8

Корпорация Microsemi представила первые в семействе биполярных транзисторов с изолированным затвором NPT (non-punch through) высокоэффективные устройства на рабочее напряжение 1200 В.

Суперэффективные NPT IGBT транзисторы нового поколения по технологии Power MOS 8

Новое семейство IGBT-транзисторов расширяет линейку устройств Microsemi, которые выпускаются по технологии Power MOS 8. Эти устройства обеспечивают значительное снижение (до 20% и более) потерь при переключении и возникающих из-за утечки по сравнению с решениями других производителей. NPT IGBT транзисторы предназначены для применения в сварочном оборудовании, солнечных инверторах, бесперебойных и импульсных источниках питания.

Microsemi Corp. начинает выпуск трех новых моделей NPT IGBT транзисторов: APT40GR120B, APT40GR120S и APT40GR120B2D30. Для упрощения разработок эти устройства могут поставляться не только как изделие, содержащее лишь транзистор, но и могут быть изготовлены на одном чипе с FRED- или карбидокремниевым диодом Шоттки.

Основные особенности NPT IGBT транзисторов Microsemi нового поколения:

  • Значительно более низкий (чем у конкурирующих изделий) уровень заряда затвора (Qg), что обеспечивает получение более высоких значений частоты переключения.
  • Высокая частота переключения (более 80 кГц) позволяет более эффективно выполнять преобразование энергии.
  • Упрощенное использование в схемах с параллельным включением транзисторов (положительный температурный коэффициент Vcesat), что повышает надежность схем с высокой выходной мощностью.
  • Устойчивость к короткому замыканию (SCWT 10 мкс).

Транзистор APT40GR120B изготавливается в корпусе TO-247, а модель APT40GR120S предлагается разработчикам в корпусе для поверхностного монтажа D3 PAK.

NPT IGBT транзистор APT40GR120B2D30 поставляется в корпусе T-MAX для монтажа в отверстия и содержит 30-А антипараллельный диод с ультрабыстрым временем восстановления. Первые два представителя нового семейства NPT IGBT транзисторов Microsemi уже сертифицированы и в данный момент проходят стадию запуска в производство.