Подписка на новости

Опрос

Нужны ли комментарии к статьям? Комментировали бы вы?

Реклама

 

2011 22 мар

Новые транзисторы XPT IGBT от компании IXYS

Компания IXYS начала производство новых XPT (extreme light punch through) IGBT транзисторов с номинальными токами от 100 до 210 А при температуре 25 °С. Новые IGBT имеют отличные характеристики:

  • напряжение насыщения (Vcesat) — до 1,8 В;
  • низкое время спада тока (tfi) — до 42 нс;
  • малая энергия выключения (Eoff) — до 0,48 мДж.

Транзисторы имеют прямоугольную безопасную рабочую зону обратного смещения (RBSOA) и расширенную безопасную рабочую зону прямого смещения (FBSOA), что положительно сказывается на надежности их работы.

Новые XPT IGBT транзисторы производятся в двух модификациях по диапазону рабочей частоты. Модификация B3 оптимизирована для работы на частотах 10…30 кГц, а модификация C3 — на частотах 20…60 кГц. Также есть модификации с встроенным антипараллельными быстрыми диодами серии Sonic-FRD (индекс H1, например IXXK100N60C3H1) и серии HiPerFRED (индекс D1, например IXXH50N60C3D1). Следует отметить повышенную рабочую температуру (до 175 °С) и положительный температурный коэффициент напряжения насыщения. Это позволяет легко применять параллельное подключение нескольких XPT транзисторов для достижения нужной мощности.

Благодаря своим характеристикам данные транзисторы идеальны для применения в инверторах, устройствах бесперебойного питания (UPS), устройствах управления электродвигателями, корректорах коэффициента мощности (PFC), зарядных устройства, сварочных аппаратах, балластах для газоразрядных ламп и других.