Подписка на новости

Опрос

Нужны ли комментарии к статьям? Комментировали бы вы?

Реклама

 

2011 22 апр

Новые 20-В сдвоенные p-канальные MOSFET по технологии TrenchFET Gen III

Компания Vishay Intertechnology Inc. запустила в производство новые сдвоенные p-канальные MOSFET по технологии TrenchFET Gen III. Предлагаемые изделия имеют сопротивление открытого канала 54 мОм при напряжении затвора 4,5 В и выполнены в корпусе с габаритами 2,05×2,05 мм.

Новые 20-В сдвоенные p-канальные MOSFET по технологии TrenchFET Gen III

Технические характеристики:

  • максимальное напряжение затвор-исток 20 В;
  • диапазон напряжений на затворе ±8 В;
  • максимальный ток стока 4,5 А;
  • величина заряда на затворе 9,5 нКл;
  • диапазон рабочих температур –55…+150 °C.

Области применения: зарядные и нагрузочные ключи для портативных электронных приборов, DC/DC-преобразователи.