Подписка на новости

Опрос

Нужны ли комментарии к статьям? Комментировали бы вы?

Реклама

 

2017 18 дек

Две новые модели СВЧ-транзисторов Wolfspeed

cree_18_12_17

Разработчики подразделения Wolfspeed компании Cree представили два новых СВЧ-транзистора с высокой подвижностью электронов (HEMT) на основе нитрида галлия (GaN). Первый из транзисторов, CG2H30070F, имеет рабочее напряжение 28 В и мощность 70 Вт, второй, CGHV40180 — напряжение 50 В и мощность 180 Вт. Оба представляют собой согласованные транзисторы, CG2H30070F предназначен для усилителей мощности в диапазоне частот 500–3000 МГц, CGHV40180 для разработки изделий в диапазоне частот до 1000 МГц.

Обе новинки могут использоваться в устройствах для коммуникаций, радиоэлектронной борьбы, радиолокации, а также в средствах для обеспечения общественной безопасности. В частности, транзистор CG2H30070F хорошо подходит для использования в антитеррористических целях, например, в средствах для предупреждения самодельных взрывных устройств в местах скопления людей, где требуется обеспечивать непрерывную выходную мощность в мгновенном диапазоне частот. Его рабочее напряжение 28 В означает, что усилитель может работать от батареи, а значит, оптимален для переносных устройств.

HEMT CG2H30070F на основе GaN является согласованным по входу, что позволяет обеспечить максимально возможную мгновенную широкополосную связь в диапазоне 0,5–3 ГГц. CGHV40180 представляет собой также согласованный по входу HEMT на основе GaN, что обеспечивает максимально возможную мгновенную широкополосную связь в диапазоне DC–2 ГГц. Это достигается за счет применения GaN, который обладает лучшими свойствами по сравнению с кремнием (Si) или арсенидом галлия (GaAs) и имеет более высокое напряжение пробоя, более высокую скорость дрейфа электронов, а также более высокую теплопроводность. HEMT на основе GaN также обеспечивают большую плотность мощности и более широкие полосы пропускания по сравнению с транзисторами на основе Si и GaAs. Транзисторы CG2H30070F и CGHV40180 выполнены в двухвыводном металлокерамическом корпусе и отличаются оптимальными электрическими и тепловыми характеристиками.