Подписка на новости

Опрос

Нужны ли комментарии к статьям? Комментировали бы вы?

Реклама

 

2014 27 мар

24-нм flash-память BENANDTM SLC NAND объемом 8 Гбайт от Toshiba

Toshiba _27_03_14

Компания Toshiba Electronics Europe (TEE) расширила линейку 24-нм flash-памяти BENAND с одноуровневыми ячейками (SLC) NAND и встроенным восьмиразрядным механизмом коррекции ошибок (ECC). Новые 24-нм модули SLC BENAND объемом 8 Гбайт позволяют производителям применять 24-нм технологию в устройствах, рассчитанных на использование модулей 4xnm NAND. Это увеличивает срок службы бытовой электроники, мультимедийных устройств, интеллектуальных измерительных приборов и систем освещения, а также промышленного оборудования.

Модуль BENAND освобождает главный процессор от нагрузки, связанной с коррекцией ошибок, и позволяет конструкторам использовать передовую технологию флэш-памяти NAND. Для облегчения перехода в новом модуле BENAND такие элементы, как размер страницы/блока, размер резервной области, команды, интерфейс и корпус соответствуют устаревшим модулям 4xnm SLC NAND. Цена изготавливаемой с использованием современных функциональных узлов flash-памяти NAND снижена, но ячейки уменьшенного размера более уязвимы перед нагрузками при программировании и очистке. Вследствие этого для поддержания желаемых уровней надежности требуется более сложная коррекция ошибок. Например, для модуля малой плотности 4xnm SLC NAND требуется одноразрядный механизм коррекции ошибок (ECC), для модуля 3xnm SLC NAND — четырехразрядный, а для модуля 2xnm SLC NAND — восьмиразрядный.

Традиционно механизм коррекции ошибок встраивался в главные контроллеры, что делало переход на более новые и дешевые модули NAND дорогостоящей и требующей существенных затрат времени задачей, так как для обеспечения требуемого уровня коррекции ошибок приходилось менять главный процессор. Модули BENAND изменяют эту парадигму благодаря перемещению механизма коррекции ошибок (ECC) в микросхему NAND. Это позволяет использовать устаревшие контроллеры с новейшей технологией NAND, снижая материальные затраты и сокращая стоимость разработки систем при сохранении высокой надежности памяти SLC NAND.

Выпуск модуля объемом 8 Гбайт расширяет диапазон линейки устройств BENAND, доступных в виде корпусов TSOP и BGA и рассчитанных на использование при промышленных и бытовых рабочих температурах.